公开(公告)号：CN114450785B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN201980100933.9

申请日：2019-11-20

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李珩 ,  张晓东 ,  王思敏 ,  戚晓芸 ,  王正波 ,  牛瑞 ,  伍青青

IPC: H01L23/48

Abstract: 一种多芯片堆叠封装及制作方法，涉及芯片技术领域，能够解决多芯片的应力集中问题，能够以进行更多层芯片的堆叠。该多芯片堆叠封装包括：沿第一方向堆叠设置的第一芯片(101)和第二芯片(102)，其中所述第一芯片(101)内沿所述第一方向开设有第一导电通孔(31)，所述第二芯片(102)内沿所述第一方向开设有第二导电通孔(32)；设置于所述第一芯片(101)和所述第二芯片(102)之间的第一再布线层(21)，且所述第一再布线层(21)的两侧分别与所述第一芯片(101)的表面和所述第二芯片(102)的表面固定，其中所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)通过所述第一再布线层(21)导通，所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)错开设置。所述多芯片堆叠封装及制作方法用于芯片的制造。

公开(公告)号：CN114450785A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201980100933.9

申请日：2019-11-20

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李珩 ,  张晓东 ,  王思敏 ,  戚晓芸 ,  王正波 ,  牛瑞 ,  伍青青

IPC: H01L23/48

Abstract: 一种多芯片堆叠封装及制作方法，涉及芯片技术领域，能够解决多芯片的应力集中问题，能够以进行更多层芯片的堆叠。该多芯片堆叠封装包括：沿第一方向堆叠设置的第一芯片(101)和第二芯片(102)，其中所述第一芯片(101)内沿所述第一方向开设有第一导电通孔(31)，所述第二芯片(102)内沿所述第一方向开设有第二导电通孔(32)；设置于所述第一芯片(101)和所述第二芯片(102)之间的第一再布线层(21)，且所述第一再布线层(21)的两侧分别与所述第一芯片(101)的表面和所述第二芯片(102)的表面固定，其中所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)通过所述第一再布线层(21)导通，所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)错开设置。所述多芯片堆叠封装及制作方法用于芯片的制造。

公开(公告)号：CN114730594A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081681.2

申请日：2020-01-22

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 刘荣斌 ,  王正波 ,  伍青青

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种数据存储系统以及方法。数据存储系统包括存储器(20)、控制器(10)和温度检测电路(30)；控制器(10)，用于设置存储器(20)的温度检测周期；温度检测电路(30)，用于按照温度检测周期，检测存储器(20)的温度,并向控制器(10)发送温度对应的检测信息；控制器(10)，还用于根据检测信息，确定存储器(20)的刷新频率；存储器(20)，用于根据刷新频率进行刷新，以保持存储器(20)存储的数据。

公开(公告)号：CN106057243B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201610362558.3

申请日：2016-05-27

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 伍青青 ,  白世松 ,  尼仁波

IPC: G11C16/34

Abstract: 本发明实施例提供了一种应用读参考电压确定方法及装置，涉及数据计算领域。所述方法包括：控制目标Nand flash向目标页依次施加第一读参考电压和第二读参考电压，获取该目标页在被施加第一读参考电压时的第一变换比例和第二变换比例，以及该目标页在被施加第二读参考电压时的第三变换比例和第四变换比例；根据第一读参考电压、第二读参考电压，以及第一变换比例、第二变换比例、第三变换比例以及第四变换比例，计算得到目标页的应用读参考电压。本发明通过控制目标Nand flash两次更改向目标页施加的读参考电压来获取变换比例，从而快速计算出应用读参考电压，提高了控制器处理数据的效率。

公开(公告)号：CN106057243A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610362558.3

申请日：2016-05-27

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 伍青青 ,  白世松 ,  尼仁波

IPC: G11C16/34

Abstract: 本发明实施例提供了一种应用读参考电压确定方法及装置，涉及数据计算领域。所述方法包括：控制目标Nand flash向目标页依次施加第一读参考电压和第二读参考电压，获取该目标页在被施加第一读参考电压时的第一变换比例和第二变换比例，以及该目标页在被施加第二读参考电压时的第三变换比例和第四变换比例；根据第一读参考电压、第二读参考电压，以及第一变换比例、第二变换比例、第三变换比例以及第四变换比例，计算得到目标页的应用读参考电压。本发明通过控制目标Nand flash两次更改向目标页施加的读参考电压来获取变换比例，从而快速计算出应用读参考电压，提高了控制器处理数据的效率。

公开(公告)号：CN116724355A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202180087793.3

申请日：2021-04-30

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 沈国明 ,  刘荣斌 ,  伍青青

IPC: G11C29/44

Abstract: 一种存储单元的访问方法、修复方法、裸片和存储芯片。方法包括：接收包含访问地址的访问请求；访问地址包括存储装置中的至少一个存储单元的原始地址(S101)；根据全局修复信息识别访问地址指向的存储单元中是否存在失效单元；其中，全局修复信息包含所有失效单元的原始地址与用于替代各个失效单元的冗余单元的冗余地址(S102)；在识别到存在第一失效单元时，将访问地址中指向第一失效单元的原始地址替换为第一失效单元对应的第一冗余单元的冗余地址(S103)；将替换后的访问请求发送至存储装置(S104)。