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公开(公告)号：CN114450785B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201980100933.9
申请日：2019-11-20
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 一种多芯片堆叠封装及制作方法，涉及芯片技术领域，能够解决多芯片的应力集中问题，能够以进行更多层芯片的堆叠。该多芯片堆叠封装包括：沿第一方向堆叠设置的第一芯片(101)和第二芯片(102)，其中所述第一芯片(101)内沿所述第一方向开设有第一导电通孔(31)，所述第二芯片(102)内沿所述第一方向开设有第二导电通孔(32)；设置于所述第一芯片(101)和所述第二芯片(102)之间的第一再布线层(21)，且所述第一再布线层(21)的两侧分别与所述第一芯片(101)的表面和所述第二芯片(102)的表面固定，其中所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)通过所述第一再布线层(21)导通，所述第一导电通孔(31)和所述第二导电通孔(32)错开设置。所述多芯片堆叠封装及制作方法用于芯片的制造。
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公开(公告)号：CN115315806B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080098985.X
申请日：2020-03-25
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 一种芯片结构及芯片制备方法，能够有效提高芯片的强度，使得芯片具有较强的抗变形能力，降低芯片在夹持或堆叠过程中发生碎裂的风险。该芯片结构包括：第一芯片(10)和第一保护层(20)；所述第一芯片(10)的第一面上覆盖有所述第一保护层(20)；所述第一保护层(20)内垂直设置有第一导电连接件(201)，所述第一导电连接件(201)贯通所述第一保护层(20)的上表面以及下表面，且所述第一导电连接件(201)的一端与所述第一芯片(10)的第一面电连接，所述第一导电连接件(201)的另一端露出于所述第一保护层(20)；其中，所述第一保护层(20)由模量大于预设数值的材料构成。
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公开(公告)号：CN115066746A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202080096220.2
申请日：2020-02-12
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/488
Abstract: 提供一种封装结构(20)及其制备方法和电子设备(100)。所述封装结构(20)包括第一重布线层(21)和第一芯片(22)，所述第一重布线层(21)包括第一金属线路(212)和与所述第一金属线路(212)连接的第一导热件(213)，所述第一导热件(213)至少部分露出所述第一重布线层(21)的顶面(214)，所述第一芯片(22)的背面一侧设于所述顶面(214)，并与所述第一导热件(213)连接。提供的所述封装结构(20)具有很好的散热效果。
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公开(公告)号：CN114287057A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201980099842.8
申请日：2019-09-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/528
Abstract: 一种芯片堆叠封装及终端设备，涉及半导体技术领域，其能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。该芯片堆叠封装(01)包括：设置于第一走线结构(10)和第二走线结构(20)之间的第一芯片(101)和第二芯片(102)；所述第一芯片(101)的有源面(S1)面向所述第二芯片(102)的有源面(S2)；第一芯片(101)的有源面(S1)包括第一交叠区域(A1)和第一非交叠区域(C1)，第二芯片(102)的有源面(S2)包括第二交叠区域(A2)和第二非交叠区域(C2)；第一交叠区域(A1)与第二交叠区域(A2)交叠，第一交叠区域(A1)和第二交叠区域(A2)连接；第一非交叠区域(C1)与第二走线结构(20)连接；第二非交叠区域(C2)与第一走线结构(10)连接。
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公开(公告)号：CN115210854A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202080098022.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种芯片堆叠结构、制作方法及电子设备，包括：第一芯片和第二芯片；该第一芯片的第一表面和该第二芯片的第二表面相对，其中，该第一芯片的第一表面上设有多个焊盘，该第二芯片的第二表面上设有多个电连接件，该焊盘与该电连接件一一焊接；相邻该焊盘之间设有隔离部件，该隔离部件的高度小于或等于该电连接件的高度，其中，该电连接件与该焊盘之间的缝隙中填充有焊料。由此，通过设置隔离部件，可以避免电连接件与焊盘焊接时焊料被融化之后流动造成的短路。同时可以在电连接件与焊盘连接时采用更多的焊料，或焊接时采用更大的压力或焊接更长时间，提高了制造良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114450786A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201980100941.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 一种芯片堆叠封装结构(100)及其封装方法、电子设备(1)，涉及电子技术领域，用于解决如何将多个副芯片堆叠单元(30)可靠的键合在同一主芯片堆叠单元(10)上的问题。芯片堆叠封装结构(100)，包括:主芯片堆叠单元(10)，具有位于第一表面上的绝缘且间隔设置的多个主管脚(11)；第一键合层(20)，设置于第一表面上；第一键合层(20)包括绝缘且间隔设置的多个键合组件(21)；多个键合组件(21)中的每个包括至少一个键合部(211)，任意两个键合部(211)绝缘设置，且任意两个键合部(211)的横截面积相同；多个键合组件(21)分别与多个主管脚(11)键合；多个副芯片堆叠单元(30)，设置于第一键合层(20)远离主芯片堆叠单元(10)一侧的表面；副芯片堆叠单元(30)具有绝缘且间隔设置的多个微凸点(31)；多个微凸点(31)中的每个与多个键合组件(21)中的一个键合。
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公开(公告)号：CN116762167A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180091817.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供一种集成电路堆叠结构及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，可以解决因第一集成电路器件和/或第二集成电路器件的翘曲度较大，或者多个焊料的共面性较差，导致的第一导电层和第二导电层未电连接的问题。该集成电路堆叠结构的制作方法包括：在暴露于第一集成电路器件表面的第一导电层上形成焊料；在暴露于第二集成电路器件表面的第二导电层上形成凸起；加热所述焊料和所述凸起，将所述第一集成电路器件与所述第二集成电路器件耦接在一起；其中，所述凸起插入所述焊料内部。
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公开(公告)号：CN116391251A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202080106906.5
申请日：2020-10-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种膜层穿孔的形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。该膜层穿孔的形成方法包括：在膜层上开孔(S1)；在孔内填充铜和锡，以形成铜层和锡层(S2)；对铜层和锡层退火，以使部分铜和部分锡生成金属间化合物，填有铜层和锡层，且具有金属间化合物的孔形成膜层穿孔(S3)。
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公开(公告)号：CN115315806A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202080098985.X
申请日：2020-03-25
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 一种芯片结构及芯片制备方法，能够有效提高芯片的强度，使得芯片具有较强的抗变形能力，降低芯片在夹持或堆叠过程中发生碎裂的风险。该芯片结构包括：第一芯片(10)和第一保护层(20)；所述第一芯片(10)的第一面上覆盖有所述第一保护层(20)；所述第一保护层(20)内垂直设置有第一导电连接件(201)，所述第一导电连接件(201)贯通所述第一保护层(20)的上表面以及下表面，且所述第一导电连接件(201)的一端与所述第一芯片(10)的第一面电连接，所述第一导电连接件(201)的另一端露出于所述第一保护层(20)；其中，所述第一保护层(20)由模量大于预设数值的材料构成。
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公开(公告)号：CN114762103A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201980102829.3
申请日：2019-12-16
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种芯片堆叠结构及其制作方法，其中，该芯片堆叠结构包括第一晶圆(100)和第二晶圆(200)，第一晶圆(100)的第一再布线层(130)设置有裸露的第一键合盘(133)，第一晶圆(100)的第一再布线层(130)和第一键合盘(133)与第二晶圆(200)的无源面(220)直接键合连接，不需要在键合表面制备额外的介电层，减小了第一晶圆(100)和第二晶圆(200)堆叠之后的厚度，使芯片封装后的尺寸更小，更轻薄。并且，第一晶圆(100)和第二晶圆(200)直接堆叠后的热阻更小，提高了芯片的散热性能。另外，第二晶圆(200)还设置有与第一键合盘(133)连接的硅通孔(233)，使得第一晶圆(100)和第二晶圆(200)可以通过硅通孔(233)直接电气互连，连接可靠性高。所提供的用于制作上述芯片堆叠结构的方法，工艺步骤简单，并且不会存在刻蚀选择比的问题，可实现性大大提高。
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