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公开(公告)号：CN117630993A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410055195.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微波遥感领域，具体涉及一种基于SAIR多快拍的RFI源地理定位方法，包括：对N幅快拍中的每幅快拍进行独立RFI源定位，得到各RFI源在每幅快拍的辐射计坐标系下的方向余弦坐标；将得到的所有方向余弦坐标转换到同一坐标系；基于克拉美罗下界矩阵、每幅快拍下各RFI源的坐标转换前每个方向的余弦坐标取值，计算由该幅快拍所定位各RFI源的对应方向位置克拉美罗下界；以每个RFI源在N幅快拍下对应的每个方向位置克拉美罗下界的倒数为权重，利用加权最小二乘法对该RFI源的对应方向位置进行融合，对应得到该RFI源的对应方向最优定位估计结果，本发明能提高定位精度。
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公开(公告)号：CN116456735A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310497825.8
申请日：2023-05-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种功能型配体‑钙钛矿量子点复合材料修饰的太阳能电池，包括层次分布的导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极，其中，功能型配体‑钙钛矿量子点复合材料包括用于修饰钙钛矿吸光层和空穴传输层界面的短链芳香羧酸配体‑钙钛矿量子点复合材料以及添加在空穴传输层中用以修饰空穴传输层的自由基聚合物配体‑钙钛矿量子点复合材料。本发明的功能型配体‑钙钛矿量子点修饰的太阳能电池具有稳定性高、表面粗糙度小、表面缺陷少和电化学性能优异的特点。
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公开(公告)号：CN113979969A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111176906.5
申请日：2021-10-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C07D285/14 , C07D417/04 , C07F9/6541 , H01L51/48 , H01L51/46 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供了一种有机空穴传输材料及其制备方法和应用、钙钛矿太阳能电池。有机空穴传输材料的化学式如下所示：本发明的有机空穴传输材料，Ar为具有半导体特性的三苯胺衍生物，根据其给电子及吸电子特性来调整其能级；R3为π间隔共轭芳香体系，扩展π‑共轭微调空穴迁移率和能级，使分子内电子分布更均匀化，同时分子趋向平面化，有效调控有机半导体分子堆积行为，进而提高空穴传输能力。R4为含有氢键供受体的锚定基团，与电极材料表界面或P型半导体材料表界面产生化学反应或超分子相互作用。空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中能有效地增强电极/钙钛矿界面或P型空穴传输层/钙钛矿界面的载流子传输性能和界面接触稳定性。
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公开(公告)号：CN109652762A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811439917.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/24 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体光电材料及薄膜领域，更具体地，涉及一种锑硫硒合金薄膜的制备方法。本发明由硒化锑粉末和单质硫粉末或者硒化锑粉末和硫化锑粉末作为蒸发源，分别放置在双温区管式炉的两个温区，通过气相转移沉积法在衬底上制得，其化学表达式为Sb2(Se1-xSx)3，其厚度小于或等于2μm。本发明制备工艺简单，对设备要求低，制备出的合金薄膜均匀致密，其禁带宽度在1.17eV到1.7eV之间连续可调，可用于制备薄膜太阳能电池、光电探测器等光电器件。
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公开(公告)号：CN117630993B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410055195.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微波遥感领域，具体涉及一种基于SAIR多快拍的RFI源地理定位方法，包括：对N幅快拍中的每幅快拍进行独立RFI源定位，得到各RFI源在每幅快拍的辐射计坐标系下的方向余弦坐标；将得到的所有方向余弦坐标转换到同一坐标系；基于克拉美罗下界矩阵、每幅快拍下各RFI源的坐标转换前每个方向的余弦坐标取值，计算由该幅快拍所定位各RFI源的对应方向位置克拉美罗下界；以每个RFI源在N幅快拍下对应的每个方向位置克拉美罗下界的倒数为权重，利用加权最小二乘法对该RFI源的对应方向位置进行融合，对应得到该RFI源的对应方向最优定位估计结果，本发明能提高定位精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109652762B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201811439917.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/24 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体光电材料及薄膜领域，更具体地，涉及一种锑硫硒合金薄膜的制备方法。本发明由硒化锑粉末和单质硫粉末或者硒化锑粉末和硫化锑粉末作为蒸发源，分别放置在双温区管式炉的两个温区，通过气相转移沉积法在衬底上制得，其化学表达式为Sb2(Se1‑xSx)3，其厚度小于或等于2μm。本发明制备工艺简单，对设备要求低，制备出的合金薄膜均匀致密，其禁带宽度在1.17eV到1.7eV之间连续可调，可用于制备薄膜太阳能电池、光电探测器等光电器件。
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公开(公告)号：CN106920863B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710169743.5
申请日：2017-03-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106910797B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710176171.3
申请日：2017-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向；当氧化锌基底为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备，得到相应的硒化锑薄膜太阳能电池。本发明通过对硒化锑薄膜制备工艺中关键的基底种类及其内部结构等进行改进，与现有技术相比，能够对生长的硒化锑薄膜其取向灵活调整，同时不依赖于硒化锑的沉积的基底温度。
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公开(公告)号：CN106920863A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710169743.5
申请日：2017-03-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106910797A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710176171.3
申请日：2017-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L21/02
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/02403 , H01L21/02433 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向；当氧化锌基底为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以 方向为主导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备，得到相应的硒化锑薄膜太阳能电池。本发明通过对硒化锑薄膜制备工艺中关键的基底种类及其内部结构等进行改进，与现有技术相比，能够对生长的硒化锑薄膜其取向灵活调整，同时不依赖于硒化锑的沉积的基底温度。
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