暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN114839500B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202210482812.9

    申请日:2022-05-05

    Abstract: 本发明提供一种暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。暗电流分析方法包括:获取器件的电流特性以及电压特性;基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型;其中,暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合;基于暗电流的类型抑制暗电流。本发明的暗电流分析方法能够快速分析出暗电流的类型以及其构成,进一步基于暗电流的类型,有效的抑制暗电流,进而降低器件的噪声,提高器件的灵敏度。

    暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN114839500A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210482812.9

    申请日:2022-05-05

    Abstract: 本发明提供一种暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。暗电流分析方法包括:获取器件的电流特性以及电压特性;基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型;其中,暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合;基于暗电流的类型抑制暗电流。本发明的暗电流分析方法能够快速分析出暗电流的类型以及其构成,进一步基于暗电流的类型,有效的抑制暗电流,进而降低器件的噪声,提高器件的灵敏度。

    一种胶体量子点薄膜的制备方法及光电探测器

    公开(公告)号:CN115044362B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202210566692.0

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本申请提供一种胶体量子点薄膜的制备方法及光电探测器,包括:根据胶体量子点的尺寸大小确定碘离子和溴离子的混合比例;按照所述混合比例配置碘离子和溴离子的混合粉末,根据混合粉末配置卤素配体溶液;将卤素配体溶液和初始量子点溶液混合进行液相配体交换,得到配体交换溶液;对所述配体交换溶液进行处理,得到目标量子点溶液;将目标量子点溶液旋涂到目标物上,形成胶体量子点薄膜。在本申请中,可以根据胶体量子点的尺寸大小确定碘离子和溴离子的混合比例,通过更高浓度的溴离子对晶面进行钝化,降低暗电流,降低散粒噪声,提高整个探测器件的探测性能。

    一种胶体量子点薄膜的制备方法及光电探测器

    公开(公告)号:CN115044362A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210566692.0

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本申请提供一种胶体量子点薄膜的制备方法及光电探测器,包括:根据胶体量子点的尺寸大小确定碘离子和溴离子的混合比例;按照所述混合比例配置碘离子和溴离子的混合粉末,根据混合粉末配置卤素配体溶液;将卤素配体溶液和初始量子点溶液混合进行液相配体交换,得到配体交换溶液;对所述配体交换溶液进行处理,得到目标量子点溶液;将目标量子点溶液旋涂到目标物上,形成胶体量子点薄膜。在本申请中,可以根据胶体量子点的尺寸大小确定碘离子和溴离子的混合比例,通过更高浓度的溴离子对晶面进行钝化,降低暗电流,降低散粒噪声,提高整个探测器件的探测性能。

    一种光电探测器及其制作方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114899329A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210481430.4

    申请日:2022-05-05

    Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制作方法,包括:在ITO玻璃衬底上制备胶体量子点薄膜;将制备好的胶体量子点薄膜倒扣于基底上,然后在背离胶体量子点薄膜的ITO玻璃衬底上施加设定的压力;通过加热装置对胶体量子点薄膜进行预设时长的均匀加温,以减小胶体量子点间间距。在本申请中,通过热压法,减小硫化铅胶体量子点间间距,可以提高迁移率,进而降低响应时间,提高响应速率,提高光电探测器的性能。

    一种谐振频率可调的光声池及调节方法

    公开(公告)号:CN111380805B

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202010004566.7

    申请日:2020-01-02

    Abstract: 本发明公开了一种谐振频率可调的光声池及调节方法,属于气体检测技术领域。本发明提供的光声池置于恒温箱内部,包括第一缓冲室、第二缓冲室、谐振腔、第一光窗、第二光窗、第一活动结构、第二活动结构;所述第一光窗和所述第二光窗分别位于所述第一缓冲室和第二缓冲室的外侧。本发明利用压电陶瓷将原本固定的缓冲室、谐振腔改进成可调节结构参数的活动结构,提高了谐振频率的调节能力以及整个光声池处于谐振式工作状态的可靠性和灵活性,而且,将光声池置于恒温箱内,既可消除外界温度及压强变化带来的干扰,避免了外界干扰带来谐振式工作过程中谐振频率的不稳定,又能通过改变温度来调节光声池的谐振频率,提高检测系统的工作稳定性和信噪比。

    一种双PIN型探测器、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119069567A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202311787567.3

    申请日:2023-12-25

    Abstract: 本申请公开了一种双PIN型探测器、制备方法及应用,属于光电探测器技术领域。该双PIN型探测器的结构由下至上依次为底电极、1‑N型层、1‑I型层、1‑P型层、隧穿层、牺牲层、2‑N型层、2‑I型层、2‑P型层以及顶电极;其中,底电极的材料为氧化铟锡,顶电极的材料为金,1‑N型层和2‑N型层的材料为氧化锌,1‑I型层和2‑I型层为PbSe胶体量子点薄膜,所述隧穿层的材料为金,所述牺牲层的材料为C60,当1‑N型层和2‑N型层的厚度相同,1‑I型层和2‑I型层的厚度相同以及1‑P型层和2‑P型层的厚度相同时,该双PIN型探测器光响应时间最短。本申请提供的双PIN型探测器与传统的单PIN探测器相比,其响应速度提升幅度在1倍以上,其增益带宽积也提升了1倍,体现出更优异的探测性能。

    一种谐振频率可调的光声池及调节方法

    公开(公告)号:CN111380805A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN202010004566.7

    申请日:2020-01-02

    Abstract: 本发明公开了一种谐振频率可调的光声池及调节方法,属于气体检测技术领域。本发明提供的光声池置于恒温箱内部,包括第一缓冲室、第二缓冲室、谐振腔、第一光窗、第二光窗、第一活动结构、第二活动结构;所述第一光窗和所述第二光窗分别位于所述第一缓冲室和第二缓冲室的外侧。本发明利用压电陶瓷将原本固定的缓冲室、谐振腔改进成可调节结构参数的活动结构,提高了谐振频率的调节能力以及整个光声池处于谐振式工作状态的可靠性和灵活性,而且,将光声池置于恒温箱内,既可消除外界温度及压强变化带来的干扰,避免了外界干扰带来谐振式工作过程中谐振频率的不稳定,又能通过改变温度来调节光声池的谐振频率,提高检测系统的工作稳定性和信噪比。

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