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公开(公告)号：CN114937621B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210520243.2
申请日：2022-05-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于MicroLED组装相关技术领域，并公开了一种激光投影脉冲增强的接近式巨量转移装置和方法。该转移装置包括支撑层、驱动层、第一封装薄膜层、放大器和第二封装薄膜层，激光照射在驱动层上其中的驱动介质膨胀，第一封装薄膜层向下凸起变形；同时由于放大器中梯形不可压缩流体的存在，使得第一封装薄膜层的变形在放大器的作用下传递给第二封装薄膜，产生更大的凸起变形；当第二封装薄膜发生凸起变形时与待转移的MicroLED分离，以巨量转移成形方法。通过本发明，解决现有Micro‑LED巨量转移过程中由于印章不可逆、驱动力小、光斑因素等造成操作成本高、难度大和良品率低等问题。
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公开(公告)号：CN114944442A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210518692.3
申请日：2022-05-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体相关技术领域，并公开了一种激光投影接近式巨量转移装置、成形方法及激光投影系统。该装置包括支撑层、动态释放层和粘性层，其中，所述支撑层为基底层，所述动态释放层设置在所述基底层上，所述粘性层设置在所述动态释放层上，用于与待转移MicroLED接触，当激光穿过所述支撑层照射在该动态释放层上时，该动态释放层发生烧蚀或者相变，从而鼓起并使得所述粘性层也产生鼓泡，从而减小与所述待转移MicroLED的接触，实现转移装与待转移MicroLED的剥离。通过本发明，解决MicroLED巨量转移的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114937621A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210520243.2
申请日：2022-05-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于MicroLED组装相关技术领域，并公开了一种激光投影脉冲增强的接近式巨量转移装置和方法。该转移装置包括支撑层、驱动层、第一封装薄膜层、放大器和第二封装薄膜层，激光照射在驱动层上其中的驱动介质膨胀，第一封装薄膜层向下凸起变形；同时由于放大器中梯形不可压缩流体的存在，使得第一封装薄膜层的变形在放大器的作用下传递给第二封装薄膜，产生更大的凸起变形；当第二封装薄膜发生凸起变形时与待转移的MicroLED分离，以巨量转移成形方法。通过本发明，解决现有Micro‑LED巨量转移过程中由于印章不可逆、驱动力小、光斑因素等造成操作成本高、难度大和良品率低等问题。
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公开(公告)号：CN114864474A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210520859.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L25/075
Abstract: 本发明属于MicroLED组装领域，公开了一种投影接近式巨量转移装置，装置可以在单激光和双激光下实现转移工作。该装置包括支撑层、动态释放层和粘性发泡层，其中，支撑层为基底层；动态释放层设置在支撑层上，在紫外或者红外激光的作用下，动态释放层被烧蚀产生烧蚀气体，进而使得动态释放层产生鼓泡；粘性发泡层设置在动态释放层上，发泡层与待转移MicroLED接触，在加热作用或者激光的作用下，粘性发泡层内部的发泡颗粒膨胀，降低发泡层的粘性，从而在印章和芯片界面，形成具有微结构的鼓泡，实现与待转移MicroLED的剥离。本发明解决了现有MicroLED巨量转移过程中转移速度和良品率低的问题。
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公开(公告)号：CN111780661B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010711074.1
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明属于柔性电子测试相关技术领域，其公开了一种柔性电子器件弯曲应变的精准测量方法及系统，所述方法包括以下步骤：(1)提供超薄应变传感器；(2)通过胶水将超薄应变传感器预固定在柔性电子器件上，并夹紧超薄应变传感器及柔性电子器件以挤出多余的胶水，接着待胶水固化而完成超薄应变传感器的紧固；(3)将超薄传感器与柔性电子器件整体连接到测试装置，并进行加载测量以采集多组实验数据；(4)根据超薄应变传感器的应变系数及得到的实验数据求出超薄应变传感器在屈曲过程中的应变量，继而采用修改正系数对得到的应变量进行修正，即可求得待测柔性电子器件的真实应变。本发明提高了测量准确性，且适用性较好。
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公开(公告)号：CN114864473A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210520597.7
申请日：2022-05-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L25/075
Abstract: 本发明属于半导体相关技术领域，并公开了一种双激光组合的投影接近式巨量转移装置和方法。该装置包括支撑层、动态释放层和发泡层，其中，所述支撑层为基底层；所述动态释放层设置在所述支撑层上，在紫外激光的作用下，该动态释放层被烧蚀产生烧蚀气体，进而使得该动态释放层产生鼓泡；所述发泡层设置在所述动态释放层上，该发泡层与待转移MicroLED接触，在红外激光的作用下，该发泡层内部的发泡颗粒膨胀，降低该发泡层的粘性，从而实现与待转移MicroLED的剥离。通过本发明，解决现有MicroLED巨量转移过程中转移速度和良品率低的问题。
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公开(公告)号：CN111780661A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010711074.1
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明属于柔性电子测试相关技术领域，其公开了一种柔性电子器件弯曲应变的精准测量方法及系统，所述方法包括以下步骤：(1)提供超薄应变传感器；(2)通过胶水将超薄应变传感器预固定在柔性电子器件上，并夹紧超薄应变传感器及柔性电子器件以挤出多余的胶水，接着待胶水固化而完成超薄应变传感器的紧固；(3)将超薄传感器与柔性电子器件整体连接到测试装置，并进行加载测量以采集多组实验数据；(4)根据超薄应变传感器的应变系数及得到的实验数据求出超薄应变传感器在屈曲过程中的应变量，继而采用修改正系数对得到的应变量进行修正，即可求得待测柔性电子器件的真实应变。本发明提高了测量准确性，且适用性较好。
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