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公开(公告)号：CN114864473A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210520597.7
申请日：2022-05-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L25/075
Abstract: 本发明属于半导体相关技术领域，并公开了一种双激光组合的投影接近式巨量转移装置和方法。该装置包括支撑层、动态释放层和发泡层，其中，所述支撑层为基底层；所述动态释放层设置在所述支撑层上，在紫外激光的作用下，该动态释放层被烧蚀产生烧蚀气体，进而使得该动态释放层产生鼓泡；所述发泡层设置在所述动态释放层上，该发泡层与待转移MicroLED接触，在红外激光的作用下，该发泡层内部的发泡颗粒膨胀，降低该发泡层的粘性，从而实现与待转移MicroLED的剥离。通过本发明，解决现有MicroLED巨量转移过程中转移速度和良品率低的问题。
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