剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备

    公开(公告)号:CN114193937B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202111311125.2

    申请日:2021-11-05

    Abstract: 本发明属于半导体相关技术领域,其公开了一种剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备,该方法包括以下步骤:(1)将微型发光二极管(即μLED)阵列巨量转移到目标基板上且坏点未被转移;(2)电流体喷印头与单个微型发光二极管之间形成电场,并向对应的微型发光二极管喷印对应颜色的量子点溶液,进而实现微型发光二极管的全彩显示。本发明通过接通驱动电路使得UV‑μLED充当释放胶层的作用源从而实现转移,而未接通的坏点由于未产生紫外而将存留在胶层上,实现剔除坏点功能;同时,电流体喷印设备的喷头与单个芯片电极之间形成电场以实现自对准,解决了现有技术中巨量转移工艺复杂及全彩化像素分辨率限制、像素对准困难的问题。

    一种激光投影接近式巨量转移装置、方法及设备

    公开(公告)号:CN114864474A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210520859.X

    申请日:2022-05-12

    Abstract: 本发明属于MicroLED组装领域,公开了一种投影接近式巨量转移装置,装置可以在单激光和双激光下实现转移工作。该装置包括支撑层、动态释放层和粘性发泡层,其中,支撑层为基底层;动态释放层设置在支撑层上,在紫外或者红外激光的作用下,动态释放层被烧蚀产生烧蚀气体,进而使得动态释放层产生鼓泡;粘性发泡层设置在动态释放层上,发泡层与待转移MicroLED接触,在加热作用或者激光的作用下,粘性发泡层内部的发泡颗粒膨胀,降低发泡层的粘性,从而在印章和芯片界面,形成具有微结构的鼓泡,实现与待转移MicroLED的剥离。本发明解决了现有MicroLED巨量转移过程中转移速度和良品率低的问题。

    剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备

    公开(公告)号:CN114193937A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111311125.2

    申请日:2021-11-05

    Abstract: 本发明属于半导体相关技术领域,其公开了一种剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备,该方法包括以下步骤:(1)将微型发光二极管(即μLED)阵列巨量转移到目标基板上且坏点未被转移;(2)电流体喷印头与单个微型发光二极管之间形成电场,并向对应的微型发光二极管喷印对应颜色的量子点溶液,进而实现微型发光二极管的全彩显示。本发明通过接通驱动电路使得UV‑μLED充当释放胶层的作用源从而实现转移,而未接通的坏点由于未产生紫外而将存留在胶层上,实现剔除坏点功能;同时,电流体喷印设备的喷头与单个芯片电极之间形成电场以实现自对准,解决了现有技术中巨量转移工艺复杂及全彩化像素分辨率限制、像素对准困难的问题。

    一种光酶TPe在不对称催化反应合成手性化合物中的应用

    公开(公告)号:CN116179623A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202211132025.8

    申请日:2022-09-16

    Abstract: 本发明属于手性化合物催化合成领域,公开了一种光酶TPe在不对称催化反应合成手性化合物中的应用,该光酶TPe是由非天然氨基酸插入至蛋白骨架中构建得到的;其中,非天然氨基酸为二苯甲酮丙氨酸(BpA)或3‑氟取代的二苯甲酮丙氨酸(FBpA)。本发明通过将非天然氨基酸BpA或FBpA插入至蛋白骨架由此得到光酶TPe,并将光酶TPe作为催化剂应用于不对称催化反应(例如,可在有氧条件下实现吲哚类烯烃衍生物的分子内[2+2]光环加成反应),可通过能量转移机制实现高效不对称催化,具有反应效率高、反应条件温和等特点。

    一种MicroLED巨量转移的自调平装置及其应用

    公开(公告)号:CN114023669A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111220046.0

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 本发明属于半导体相关技术领域,其公开了一种MicroLED巨量转移的自调平装置及其应用,该装置包括:下晶圆运动台,包括具有XYZ三方向自由度的第一支架以及滑台;上晶圆运动台,包括具有XYZ三方向自由度的第二支架以及吸附结构;基板直驱自调平微云台,包括球形电机以及自调平微云台,球形电机设于滑台上,自调平微云台在球形电机的带动下实现X、Y或Z方向的旋转或锁紧;自调平微云台包括同步调节盘以及下晶圆吸附盘,同步调节盘表面设有多个顶柱,顶柱的上方分别设有力传感器,下晶圆吸附盘设有与顶柱对应的孔洞以使力传感器突出于下晶圆吸附盘表面。本申请不受转移头面积的限制,可以实现大平面转移过程中的平行度,显著提高转移效率。

    一种激光辅助巨量转移MicroLED的对准装置及对准方法

    公开(公告)号:CN113921439B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202111221338.6

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 本发明属于MicroLED巨量转移相关技术领域,其公开了一种激光辅助巨量转移MicroLED的对准装置及对准方法,装置包括:掩模投影组件,包括自定义掩模板以及掩模板微调装置;自定义掩模板设有镂空图案;掩模板微调装置包括依次连接的手动转台、Z方向位移台以及X方向位移台;自定义掩模板连接于手动转台的端部;相机对位系统包括至少两个相机,相机的视野中心设有十字叉丝,每一相机均设于相应的每一Y方向位移台上;运动平台系统包括芯片运动模块以及驱动电路运动模块,通过相机的十字叉丝实现光斑、芯片以及驱动电路的对准定位。本申请可以实现激光光斑、芯片以及驱动电路三者的精确标定和对准,结构简单,具有重大的应用价值。

    一种激光辅助巨量转移MicroLED的对准装置及对准方法

    公开(公告)号:CN113921439A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111221338.6

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 本发明属于MicroLED巨量转移相关技术领域,其公开了一种激光辅助巨量转移MicroLED的对准装置及对准方法,装置包括:掩模投影组件,包括自定义掩模板以及掩模板微调装置;自定义掩模板设有镂空图案;掩模板微调装置包括依次连接的手动转台、Z方向位移台以及X方向位移台;自定义掩模板连接于手动转台的端部;相机对位系统包括至少两个相机,相机的视野中心设有十字叉丝,每一相机均设于相应的每一Y方向位移台上;运动平台系统包括芯片运动模块以及驱动电路运动模块,通过相机的十字叉丝实现光斑、芯片以及驱动电路的对准定位。本申请可以实现激光光斑、芯片以及驱动电路三者的精确标定和对准,结构简单,具有重大的应用价值。

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