公开(公告)号：CN113909700B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202111267641.X

申请日：2021-10-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  余海洋

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/082

Abstract: 本发明属于激光加工制备电路相关技术领域，其公开了一种内部有嵌入式电路的多层结构及其非接触式激光加工方法，包括以下步骤：(1)提供复合薄膜，复合薄膜为层状结构，其包括基底、形成在基底上的吸光聚合层及形成在吸光聚合层上的封装层；(2)采用激光对复合薄膜进行扫描，激光穿过所述基底后照射到吸光聚合层，被激光照射的吸光聚合层的区域发生碳化分解，碳化分解得到的残余物形成图案化的导电电路，实现了激光在夹层内部选择性地碳化吸光聚合层的区域而形成图案化的导电电路，由此实现在多层结构内部制备嵌入式电路。该方法工艺简单，成本较低，解决了传统转印过程中由于图章变形较大和封装过程中应力不匹配效应导致的电极断裂的问题。

公开(公告)号：CN113909700A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111267641.X

申请日：2021-10-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  余海洋

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/082

Abstract: 本发明属于激光加工制备电路相关技术领域，其公开了一种内部有嵌入式电路的多层结构及其非接触式激光加工方法，包括以下步骤：(1)提供复合薄膜，复合薄膜为层状结构，其包括基底、形成在基底上的吸光聚合层及形成在吸光聚合层上的封装层；(2)采用激光对复合薄膜进行扫描，激光穿过所述基底后照射到吸光聚合层，被激光照射的吸光聚合层的区域发生碳化分解，碳化分解得到的残余物形成图案化的导电电路，实现了激光在夹层内部选择性地碳化吸光聚合层的区域而形成图案化的导电电路，由此实现在多层结构内部制备嵌入式电路。该方法工艺简单，成本较低，解决了传统转印过程中由于图章变形较大和封装过程中应力不匹配效应导致的电极断裂的问题。

公开(公告)号：CN114864474A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210520859.X

申请日：2022-05-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  陈福荣 ,  胡金龙 ,  孙宁宁 ,  余海洋 ,  凌红

IPC: H01L21/683 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明属于MicroLED组装领域，公开了一种投影接近式巨量转移装置，装置可以在单激光和双激光下实现转移工作。该装置包括支撑层、动态释放层和粘性发泡层，其中，支撑层为基底层；动态释放层设置在支撑层上，在紫外或者红外激光的作用下，动态释放层被烧蚀产生烧蚀气体，进而使得动态释放层产生鼓泡；粘性发泡层设置在动态释放层上，发泡层与待转移MicroLED接触，在加热作用或者激光的作用下，粘性发泡层内部的发泡颗粒膨胀，降低发泡层的粘性，从而在印章和芯片界面，形成具有微结构的鼓泡，实现与待转移MicroLED的剥离。本发明解决了现有MicroLED巨量转移过程中转移速度和良品率低的问题。