公开(公告)号：CN114050216B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202111260305.2

申请日：2021-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  凌红

IPC: H10N30/085 ,  H10N30/081

Abstract: 本发明属于柔性电子制备相关技术领域，其公开了一种柔性电子器件及其激光加工方法，包括以下步骤：(1)在透明基底上制备牺牲层，并通过图案化工艺在牺牲层上制备图案化结构；牺牲层的材料的热膨胀系数与图案化结构的材料的热膨胀系数之差大于10‑5K‑1；(2)在牺牲层暴露的区域及图案化结构上沉积得到功能层；(3)在功能层上沉积衬底层以得到柔性带电子器件的半成品，并采用激光束对透明基底进行扫描，激光束穿过透明基底而作用于半成品的其他结构；(4)对激光作用后的半成品进行机械分离以得到图案化的柔性电子器件。本发明同时实现了功能层的图案化及剥离，简化了工艺。

公开(公告)号：CN114050216A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111260305.2

申请日：2021-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  凌红

IPC: H01L41/331 ,  H01L41/335

Abstract: 本发明属于柔性电子制备相关技术领域，其公开了一种柔性电子器件及其激光加工方法，包括以下步骤：(1)在透明基底上制备牺牲层，并通过图案化工艺在牺牲层上制备图案化结构；牺牲层的材料的热膨胀系数与图案化结构的材料的热膨胀系数之差大于10‑5K‑1；(2)在牺牲层暴露的区域及图案化结构上沉积得到功能层；(3)在功能层上沉积衬底层以得到柔性带电子器件的半成品，并采用激光束对透明基底进行扫描，激光束穿过透明基底而作用于半成品的其他结构；(4)对激光作用后的半成品进行机械分离以得到图案化的柔性电子器件。本发明同时实现了功能层的图案化及剥离，简化了工艺。

公开(公告)号：CN114864474A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210520859.X

申请日：2022-05-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  陈福荣 ,  胡金龙 ,  孙宁宁 ,  余海洋 ,  凌红

IPC: H01L21/683 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明属于MicroLED组装领域，公开了一种投影接近式巨量转移装置，装置可以在单激光和双激光下实现转移工作。该装置包括支撑层、动态释放层和粘性发泡层，其中，支撑层为基底层；动态释放层设置在支撑层上，在紫外或者红外激光的作用下，动态释放层被烧蚀产生烧蚀气体，进而使得动态释放层产生鼓泡；粘性发泡层设置在动态释放层上，发泡层与待转移MicroLED接触，在加热作用或者激光的作用下，粘性发泡层内部的发泡颗粒膨胀，降低发泡层的粘性，从而在印章和芯片界面，形成具有微结构的鼓泡，实现与待转移MicroLED的剥离。本发明解决了现有MicroLED巨量转移过程中转移速度和良品率低的问题。