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公开(公告)号：CN110829664A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911136249.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K3/28
Abstract: 本发明公开了一种新型双层分数槽集中绕组及其拓扑分布获取方法，其包括如下步骤：将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位向槽位相位图的正方向增加后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向删除第一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的所述任一相位的其中一层绕组的正相带槽位和负相带槽位；将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位沿槽位相位图的正方向删除最后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向增加后一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位和负相带槽位，从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数，达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。
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公开(公告)号：CN110829664B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201911136249.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K3/28
Abstract: 本发明公开了一种新型双层分数槽集中绕组及其拓扑分布获取方法，其包括如下步骤：将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位向槽位相位图的正方向增加后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向删除第一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的所述任一相位的其中一层绕组的正相带槽位和负相带槽位；将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位沿槽位相位图的正方向删除最后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向增加后一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位和负相带槽位，从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数，达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。
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公开(公告)号：CN210806890U
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201922003834.9
申请日：2019-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K3/28
Abstract: 本实用新型公开了一种新型双层分数槽集中绕组，该集中绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位包括第一槽位和第二槽位，该集中绕组的该任一相位的其中一层绕组的负相带槽位包括第三槽位，该集中绕组的该任一相位的另一层绕组的正相带槽位包括第四槽位，该集中绕组的该任一相位的该另一层绕组的负相带槽位包括第五槽位和第六槽位；其中，第一至第六槽位分别通过三相对称双层绕组的该任一相位的该其中一层绕组的正相带槽位、负相带槽位，三相对称双层绕组的该任一相位的该另一层绕组的正相带槽位、负相带槽位，以及三相对称双层绕组的槽位相位图变换得到，使得其极槽配合更加合理，从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数，达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211744167U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202020424853.9
申请日：2020-03-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于双向斜极的转子结构，属于盘式永磁体电机技术领域，其通过对两永磁体盘上的永磁体磁极进行双向斜极设置，并且优选设置永磁体N极、永磁体S极的极弧系数，利用双向斜极的对应设置，以及极弧系数的对应优选，能有效实现转子结构齿槽转矩的抑制，取得较好的抑制效果。本实用新型的基于双向斜极的转子结构，能有效提升转子结构齿槽转矩的抑制效果，提升盘式永磁体电机应用的稳定性和可靠性，推动盘式永磁体电机的应用，具有较好的应用效果和推广价值。
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