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公开(公告)号：CN112953191A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110301110.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种变频器用电机转子能量泄放电路，包括双触点开关、续流二极管和能量泄放支路；能量泄放支路包括泄放电阻以及A相、B相、C相转子能量泄放二极管；双触点开关的第一触点端连接变频器电源电路中整流器的输出端，动端连接母线滤波电容及制动电阻的第一端，第二触点端连接泄放电阻的第一端；泄放电阻的第二端分别连接A相、B相、C相转子能量泄放二极管的阳极，A相、B相和C相转子能量泄放二极管的阴极对应连接三相交流电机的A、B、C相绕组；续流二极管的阴极连接制动电阻的第二端及IGBT管的集电极，阳极连接IGBT管的发射极及母线滤波电容的第二端；本发明可以提高系统的能量泄放能力，同时减少对电网能量的消耗。
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公开(公告)号：CN110829664A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911136249.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K3/28
Abstract: 本发明公开了一种新型双层分数槽集中绕组及其拓扑分布获取方法，其包括如下步骤：将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位向槽位相位图的正方向增加后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向删除第一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的所述任一相位的其中一层绕组的正相带槽位和负相带槽位；将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位沿槽位相位图的正方向删除最后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向增加后一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位和负相带槽位，从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数，达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。
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公开(公告)号：CN112653436B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202011504155.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/082
Abstract: 本发明公开了一种IGBT过流保护电路，包括解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路和硬件封锁电路；解耦保护电路用于根据采集的IGBT下管的栅极和漏极电压生成保护电压信号；故障信号生成电路将保护电压信号与基准电压信号进行比较，当保护电压信号大于基准电压信号时形成故障信号；硬件封锁电路在故障信号的触发下将下管的栅极电压钳位至下管驱动电源的负电源，使下管关断；本发明采用分离的模拟电路器件配置可解耦的过流保护电路的三种工作模式，在IGBT发生过流故障时、正常工作时、不工作时的三种现实工况中灵活切换，在不使用驱动芯片的情况下实现过流保护，并可通过调节电路参数来调节执行电压范围和响应时间值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110829664B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201911136249.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K3/28
Abstract: 本发明公开了一种新型双层分数槽集中绕组及其拓扑分布获取方法，其包括如下步骤：将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位向槽位相位图的正方向增加后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的其中一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向删除第一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的所述任一相位的其中一层绕组的正相带槽位和负相带槽位；将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位沿槽位相位图的正方向删除最后一个槽位，将三相对称双层绕组的任一相位的另一层绕组的负相带槽位沿槽位相位图的正方向增加后一个槽位，分别作为新型双层分数槽集中绕组的任一相位的另一层绕组的正相带槽位和负相带槽位，从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数，达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。
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公开(公告)号：CN112653436A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011504155.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/082
Abstract: 本发明公开了一种IGBT过流保护电路，包括解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路和硬件封锁电路；解耦保护电路用于根据采集的IGBT下管的栅极和漏极电压生成保护电压信号；故障信号生成电路将保护电压信号与基准电压信号进行比较，当保护电压信号大于基准电压信号时形成故障信号；硬件封锁电路在故障信号的触发下将下管的栅极电压钳位至下管驱动电源的负电源，使下管关断；本发明采用分离的模拟电路器件配置可解耦的过流保护电路的三种工作模式，在IGBT发生过流故障时、正常工作时、不工作时的三种现实工况中灵活切换，在不使用驱动芯片的情况下实现过流保护，并可通过调节电路参数来调节执行电压范围和响应时间值。
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公开(公告)号：CN215268058U
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202120580394.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种变频器用电机转子能量泄放电路，包括双触点开关、续流二极管和能量泄放支路；能量泄放支路包括泄放电阻以及A相、B相、C相转子能量泄放二极管；双触点开关的第一触点端连接变频器电源电路中整流器的输出端，动端连接母线滤波电容及制动电阻的第一端，第二触点端连接泄放电阻的第一端；泄放电阻的第二端分别连接A相、B相、C相转子能量泄放二极管的阳极，A相、B相和C相转子能量泄放二极管的阴极对应连接三相交流电机的A、B、C相绕组；续流二极管的阴极连接制动电阻的第二端及IGBT管的集电极，阳极连接IGBT管的发射极及母线滤波电容的第二端；本实用新型可以提高系统的能量泄放能力，同时减少对电网能量的消耗。
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公开(公告)号：CN210806890U
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201922003834.9
申请日：2019-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K3/28
Abstract: 本实用新型公开了一种新型双层分数槽集中绕组，该集中绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位包括第一槽位和第二槽位，该集中绕组的该任一相位的其中一层绕组的负相带槽位包括第三槽位，该集中绕组的该任一相位的另一层绕组的正相带槽位包括第四槽位，该集中绕组的该任一相位的该另一层绕组的负相带槽位包括第五槽位和第六槽位；其中，第一至第六槽位分别通过三相对称双层绕组的该任一相位的该其中一层绕组的正相带槽位、负相带槽位，三相对称双层绕组的该任一相位的该另一层绕组的正相带槽位、负相带槽位，以及三相对称双层绕组的槽位相位图变换得到，使得其极槽配合更加合理，从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数，达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN213637696U
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202023086748.8
申请日：2020-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/082
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT过流保护电路，包括解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路和硬件封锁电路；解耦保护电路分别连接IGBT下管的栅极和漏极；故障信号生成电路分别连接解耦保护电路、基准电平生成电路和硬件封锁电路，形成故障信号并发送给硬件封锁电路；硬件封锁电路与IGBT下管的栅极相连，在故障信号的触发下将IGBT下管的栅极电压钳位至下管驱动电源的负电源，使IGBT下管关断；本实用新型采用分离的模拟电路器件配置可解耦的过流保护电路的三种工作模式，在IGBT发生过流故障时、正常工作时、不工作时的三种现实工况中灵活切换，在不使用驱动芯片的情况下实现过流保护，并可通过调节电路参数来调节执行电压范围和响应时间值。
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