公开(公告)号：CN119069567A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202311787567.3

申请日：2023-12-25

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 高亮 ,  杨骏睿 ,  唐江 ,  丁皓 ,  刘婧 ,  陈龙

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G01S7/486 ,  G01S7/4865

Abstract: 本申请公开了一种双PIN型探测器、制备方法及应用，属于光电探测器技术领域。该双PIN型探测器的结构由下至上依次为底电极、1‑N型层、1‑I型层、1‑P型层、隧穿层、牺牲层、2‑N型层、2‑I型层、2‑P型层以及顶电极；其中，底电极的材料为氧化铟锡，顶电极的材料为金，1‑N型层和2‑N型层的材料为氧化锌，1‑I型层和2‑I型层为PbSe胶体量子点薄膜，所述隧穿层的材料为金，所述牺牲层的材料为C60，当1‑N型层和2‑N型层的厚度相同，1‑I型层和2‑I型层的厚度相同以及1‑P型层和2‑P型层的厚度相同时，该双PIN型探测器光响应时间最短。本申请提供的双PIN型探测器与传统的单PIN探测器相比，其响应速度提升幅度在1倍以上，其增益带宽积也提升了1倍，体现出更优异的探测性能。