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公开(公告)号：CN113096709A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110267847.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种物理不可克隆函数电路及其操作方法，属于电路设计领域，包括：控制模块、忆阻器阵列和比较放大电路；其中，控制模块用于基于外部输入的激励信号选中忆阻器阵列中第i行、第j列的忆阻器单元和第i行、第j+1列的忆阻器单元；将忆阻器阵列的第i行导通，并在忆阻器阵列的第j列上施加高电平信号，忆阻器阵列的第j+1列上施加低电平信号，其余各列上均处于悬空状态，以使所选中的忆阻器单元构成串联电路进行分压操作，忆阻器阵列第i行所在的源线输出即为串联电路中间分压点处的分压信号；比较放大电路用于比较分压信号与参考电压的大小，得到响应信号；本发明不会受到串扰电流的影响，响应结果的准确度较高，大大降低了误码率。
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公开(公告)号：CN115995254A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211513659.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于1T1R阵列的完备非易失布尔逻辑电路及其控制方法，属于微电子器件技术领域，用于对输入的逻辑值P和/或逻辑值Q进行逻辑运算；其中，忆阻器M1的输入阻态由逻辑输入Q来决定，输入电压固定为‑V0，忆阻器M2的输入电压固定为V1，字线WL上的输入电压C由逻辑运算类型和逻辑值Q、P决定；源控制端上的输入电压D由逻辑运算类型、逻辑值P以及电压C决定，忆阻器M2的阻态作为计算结果的输出；本发明在逻辑算法上充分利用了1T1R结构中晶体管的开关特性，通过动态的对字线WL和源控制端上的输入电压进行配置，即可将实现完备的布尔逻辑功能的步骤控制到两步，能够以较少的操作步数和固定电路拓扑结构提高非易失布尔逻辑运算效率。
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公开(公告)号：CN113362872B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110664754.7
申请日：2021-06-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的完备非易失布尔逻辑电路及操作方法，用于对输入的逻辑值P和/或输入的逻辑值Q进行逻辑运算；其中，电路包括控制器、忆阻器M1、忆阻器M2和电阻；控制器用于在逻辑运算之前，将忆阻器M2置为高阻态；进行逻辑运算时，对忆阻器M1施加电压A，对忆阻器M2施加电压B，对电阻施加电压C，并读取忆阻器M2的阻态，即逻辑运算结果；且当对逻辑值P和逻辑值Q进行逻辑运算或仅对逻辑值Q进行逻辑运算时，控制器还用于在逻辑运算之前，将忆阻器M1置为逻辑值Q所对应的阻态；本发明通过对忆阻器进行置态以及对忆阻器和电阻进行加压两步操作即可实现完备的布尔逻辑功能，且器件数较少、电路面积小、操作步数少、计算效率高。
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公开(公告)号：CN113096709B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110267847.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种物理不可克隆函数电路及其操作方法，属于电路设计领域，包括：控制模块、忆阻器阵列和比较放大电路；其中，控制模块用于基于外部输入的激励信号选中忆阻器阵列中第i行、第j列的忆阻器单元和第i行、第j+1列的忆阻器单元；将忆阻器阵列的第i行导通，并在忆阻器阵列的第j列上施加高电平信号，忆阻器阵列的第j+1列上施加低电平信号，其余各列上均处于悬空状态，以使所选中的忆阻器单元构成串联电路进行分压操作，忆阻器阵列第i行所在的源线输出即为串联电路中间分压点处的分压信号；比较放大电路用于比较分压信号与参考电压的大小，得到响应信号；本发明不会受到串扰电流的影响，响应结果的准确度较高，大大降低了误码率。
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公开(公告)号：CN112614937B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011495419.0
申请日：2020-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法，包括置下而上的衬底、第一电极、电极修饰层、金属氧化物功能层和第二电极；电极修饰层包括有机物电极层和生长在有机物电极层的上表面的金属纳米颗粒层；金属纳米颗粒层由金属纳米颗粒构成；有机物电极层的材料为包括大量氨基和酚羟基基团的儿茶酚氨基团型有机物；金属纳米颗粒与金属氧化物功能层可以形成电接触，大大增强了金属氧化物功能层中与金属纳米颗粒相对应的位置处的局域电场，减小了金属氧化物功能层中导电细丝的形成和断裂的随机性，实现了对氧空位导电细丝通断的调制效果，使得忆阻器在电激励作用下，阻态的稳定跳变，提高了忆阻器的稳定性和关键电学参数的一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113362872A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110664754.7
申请日：2021-06-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的完备非易失布尔逻辑电路及操作方法，用于对输入的逻辑值P和/或输入的逻辑值Q进行逻辑运算；其中，电路包括控制器、忆阻器M1、忆阻器M2和电阻；控制器用于在逻辑运算之前，将忆阻器M2置为高阻态；进行逻辑运算时，对忆阻器M1施加电压A，对忆阻器M2施加电压B，对电阻施加电压C，并读取忆阻器M2的阻态，即逻辑运算结果；且当对逻辑值P和逻辑值Q进行逻辑运算或仅对逻辑值Q进行逻辑运算时，控制器还用于在逻辑运算之前，将忆阻器M1置为逻辑值Q所对应的阻态；本发明通过对忆阻器进行置态以及对忆阻器和电阻进行加压两步操作即可实现完备的布尔逻辑功能，且器件数较少、电路面积小、操作步数少、计算效率高。
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公开(公告)号：CN115567052A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211213280.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/173
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的数据选择器电路及数据选择方法，属于微电子器件技术领域；其中，基于忆阻器的2选1数据选择器用于基于逻辑值s从逻辑值a和逻辑值b中选出一个数据；该数据选择器电路包括三个忆阻器和一个电阻，结构简单，电路的复杂度低，电路面积小，可扩展性强；具体地，逻辑值s以电压的形式定义在忆阻器M1和忆阻器M2的电压输入端，逻辑值a定义为忆阻器M1的阻态，逻辑值b定义为忆阻器M2的阻态，忆阻器M3的阻态作为输出；只需对忆阻器M1和忆阻器M2进行置态以及对忆阻器和电阻进行加压三步操作即可实现数据选择功能，与现有的2选1数据选择器相比，能够在较少的器件和操作步数的条件下以较高的计算效率实现数据选择运算。
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公开(公告)号：CN116248110A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310163750.X
申请日：2023-02-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于3M‑1R忆阻器的完备非易失布尔逻辑电路及控制方法，属于微电子器件技术领域，该逻辑电路主要由三个忆阻器与一个定值电阻组成，电路所占面积较小，电路复杂度较低，其中，逻辑计算过程中的一个输入P定义为输入忆阻器1的阻态，另一个输入Q定义为输入忆阻器2的阻态，输出忆阻器的阻态作为输出，通过对控制多路选择器的选通状态，并向各忆阻器施加对应的电压，即可一步计算操作可实现任意布尔逻辑运算，且在逻辑计算的操作过程中，输入忆阻器1和输入忆阻器2的阻态不发生改变，输入信息被完整非易失的保存在对应的忆阻器中，能够在使用尽可能少的器件和操作步数的同时，在计算过程中保护输入信息的完整性。
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公开(公告)号：CN115240738A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210833672.5
申请日：2022-07-15
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于查找表的忆阻器电导调控方法及其应用。其中，该电导调控方法包括如下步骤：当需要调控忆阻器电导至目标电导区间时，从预先制作的查找表中查找与目标电导区间相匹配的脉冲序列信息，查找表存储有至少两个电导态与相对应脉冲的对应关系；根据脉冲序列信息，向忆阻器上下电极之间施加相应脉冲，完成对忆阻器电导调控。本发明对器件电导态分布进行统计分析，制造查找表，利用查找表的方法编程调控忆阻器电导，能有效减少读操作的次数，同时不同的电导态对应已知的脉冲设计和脉冲序列设计，不需要反复验证是否达到目标电导区间，编程过程简单，且由于所有电导态已知，编程过程中不存在无法写入电导区间的情况。
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公开(公告)号：CN112614937A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011495419.0
申请日：2020-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法，包括置下而上的衬底、第一电极、电极修饰层、金属氧化物功能层和第二电极；电极修饰层包括有机物电极层和生长在有机物电极层的上表面的金属纳米颗粒层；金属纳米颗粒层由金属纳米颗粒构成；有机物电极层的材料为包括大量氨基和酚羟基基团的儿茶酚氨基团型有机物；金属纳米颗粒与金属氧化物功能层可以形成电接触，大大增强了金属氧化物功能层中与金属纳米颗粒相对应的位置处的局域电场，减小了金属氧化物功能层中导电细丝的形成和断裂的随机性，实现了对氧空位导电细丝通断的调制效果，使得忆阻器在电激励作用下，阻态的稳定跳变，提高了忆阻器的稳定性和关键电学参数的一致性。
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