体导电微通道板及其制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117012595A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202311071318.4

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 本发明公开一种体导电微通道板及其制备方法,包括:在易腐蚀去除的基底或者芯片上,采用化学气相沉积方法制备氢化非晶硅厚膜层,然后在氢化非晶硅厚膜层通过光刻、Bosch深硅刻蚀工艺加工出所需长径比的微孔阵列。在芯片上可直接使用氢化非晶硅盲孔阵列,在易腐蚀基底上使用酸碱等溶液处理将基底腐蚀掉,形成通道贯穿的氢化非晶硅微孔阵列。然后通过原子层沉积技术在微孔阵列的通道内壁制备二次电子发射层,获得体导电微通道板。通过本发明既可以制作出作为分立元件的体导电微通道板,应用于传统MCP的应用领域,还可以通过与芯片集成的方式应用于芯片探测器领域,实现与芯片的集成,提升芯片探测器的位置分辨、时间响应性能。

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