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公开(公告)号：CN113445009B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110723430.6
申请日：2021-06-28
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及光电倍增管制作技术领域，具体而言涉及打拿极型光电倍增管阴极和打拿极瓦片镀膜设备及镀膜方法，包括：多个罩体，每个罩体均被设置成具有密封状态和开放状态，所述罩体处于密封状态时，内部形成镀膜腔室；镀膜系统，被设置在所述镀膜腔室内；主抽系统，包括主抽泵和连接到主抽泵抽气端的主抽管道，所述主抽管道第二端连接到所述镀膜腔室。对主抽泵进行隔离而不停机，破坏镀膜腔室的真空状态后使用预抽系统建立真空度优于10Pa的负压环境，再打开主抽泵的隔离，无需破除整个镀膜机系统的真空，无需频繁停启主抽泵，极大缩短了单轮次镀膜的装卸瓦片及排气抽真空时间，提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN113445009A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110723430.6
申请日：2021-06-28
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及光电倍增管制作技术领域，具体而言涉及打拿极型光电倍增管阴极和打拿极瓦片镀膜设备及镀膜方法，包括：多个罩体，每个罩体均被设置成具有密封状态和开放状态，所述罩体处于密封状态时，内部形成镀膜腔室；镀膜系统，被设置在所述镀膜腔室内；主抽系统，包括主抽泵和连接到主抽泵抽气端的主抽管道，所述主抽管道第二端连接到所述镀膜腔室。对主抽泵进行隔离而不停机，破坏镀膜腔室的真空状态后使用预抽系统建立真空度优于10Pa的负压环境，再打开主抽泵的隔离，无需破除整个镀膜机系统的真空，无需频繁停启主抽泵，极大缩短了单轮次镀膜的装卸瓦片及排气抽真空时间，提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN115692140B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202211368592.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种抑制微光像增强器雪花点噪声的微通道板及其制备方法，在微通道板制备过程中，使用耐高温的微通道阵列基片，置于高真空环境的原子层沉积设备；在原子层沉积设备中保持高真空环境，原位完成对微通道阵列基片的高温烘烤、制备金属绝缘体复合膜层与制备二次电子发射层的工艺过程，制备得到最终的微通道板。本发明在耐高温烘烤的微通道阵列基底上，原位完成高真空高温烘烤、金属绝缘体复合膜层与高二次电子发射层的制备，制备出含气量、放气量极低的微通道板，抑制其在应用到像增强器时的像增强器雪花点噪声。
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公开(公告)号：CN115692140A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211368592.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种抑制微光像增强器雪花点噪声的微通道板及其制备方法，在微通道板制备过程中，使用耐高温的微通道阵列基片，置于高真空环境的原子层沉积设备；在原子层沉积设备中保持高真空环境，原位完成对微通道阵列基片的高温烘烤、制备金属绝缘体复合膜层与制备二次电子发射层的工艺过程，制备得到最终的微通道板。本发明在耐高温烘烤的微通道阵列基底上，原位完成高真空高温烘烤、金属绝缘体复合膜层与高二次电子发射层的制备，制备出含气量、放气量极低的微通道板，抑制其在应用到像增强器时的像增强器雪花点噪声。
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公开(公告)号：CN115513018A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211128122.X
申请日：2022-09-16
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，尤其涉及光电阴极，公开一种高灵敏度锑基反射式多碱光电阴极及其制备方法。通过改善阴极的碱金属激活顺序，先进行Na激活，避免了阴极表面Na富集，将反射式多碱光电阴极的灵敏度提升了45％，提高了阴极的红光响应能力。同时本发明光电阴极的制备过程中，提出反复多轮次镀锑方法，避免阴极镀锑脱膜的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119194410A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411318823.9
申请日：2024-09-21
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司 , 北方夜视技术股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及微通道板技术领域，公开了一种提高微通道板高温烘烤前后体电阻一致性的方法，能够被应用于像增强器、微通道板型光电倍增管等真空光电探测器件中。该方法中，在微通道板氢还原工艺之后，增加原子层沉积工艺的步骤，包括：将微通道板放入真空腔体设备中，在一定的温度和压强下进行氧化铝薄膜的沉积；然后进行电极膜层的制备，测其体电阻，再进行烘烤。通过该方法得到制管后的微通道板体电阻波动范围明显降低，产品一致性得到大幅度的提升。
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公开(公告)号：CN117524830A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311472642.7
申请日：2023-11-07
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及微通道板技术领域，具体提出一种采用硅微通道板基底自约束防氧化变形的方法，所述方法应用于基于光电化学腐蚀制备硅微通道板的工艺中，所述方法包括：在对硅基片进行在光电化学腐蚀工序，形成微孔通道结构，在该工序中，在微孔通道结构的硅基片背面保留一定厚度的实体硅；将微孔通道结构的硅基片进行高温全氧化处理，将微孔通道结构以及背面实体硅的表面均形成氧化硅层；在微孔通道结构中进行蜡填充，形成蜡支撑体；对硅基片背面保留的实体硅进行抛光减薄工艺，去除实体硅，形成通孔结构；最后去除微孔通道结构中填充的蜡支撑体。通过本发明可抵消氧化过程中微通道部分向上的应力，有效抑制微通道板高温氧化过程发送的板面变形。
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公开(公告)号：CN115541628B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202211149360.9
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种大视场超高空间分辨率X射线亚显微成像装置，主要包括：方孔微通道板、X射线成像探测器、光学经纬仪以及半反半透镜。所述待测X射线微焦点放置于方孔微通道板的球面方孔阵列结构内侧，所述X射线探测器置于方孔微通道板的球面方孔阵列结构外侧，三者中心处于同一X射线光轴。所述光学经纬仪和半反半透镜位于X射线光轴一侧用于测量物距S和像距F。所述亚显微成像方法包括：设备组装、调整物距和像距、X射线显微成像。本发明所述装置及方法结合微通道X射线光学和几何球面成像光学，实现待测X射线微焦点信号和图像的显微放大，可准确获取物体高清晰的亚显微成像精度信息和结果，在X射线亚显微成像具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115541628A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211149360.9
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种大视场超高空间分辨率X射线亚显微成像装置，主要包括：方孔微通道板、X射线成像探测器、光学经纬仪以及半反半透镜。所述待测X射线微焦点放置于方孔微通道板的球面方孔阵列结构内侧，所述X射线探测器置于方孔微通道板的球面方孔阵列结构外侧，三者中心处于同一X射线光轴。所述光学经纬仪和半反半透镜位于X射线光轴一侧用于测量物距S和像距F。所述亚显微成像方法包括：设备组装、调整物距和像距、X射线显微成像。本发明所述装置及方法结合微通道X射线光学和几何球面成像光学，实现待测X射线微焦点信号和图像的显微放大，可准确获取物体高清晰的亚显微成像精度信息和结果，在X射线亚显微成像具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117164216A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311106140.2
申请日：2023-08-30
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种光电倍增管玻壳的制备方法，采用铂金化料的高质量熔制方式熔制玻璃，机械制棒及机械加工方式制备玻壳前驱体，结合二次热成型方式制备出高质量光电倍增管玻壳，既可以提高玻壳的玻璃内部质量，又可以提高玻璃的尺寸精度，提高了光电倍增管玻壳的制壳合格率，为光电倍增管的性能提高奠定了基础。
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