公开(公告)号：CN117317053B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311343877.6

申请日：2023-10-17

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 关晓宁 ,  杜美芹 ,  贾宝楠 ,  孙童 ,  刘刚

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供一种五级倍增的雪崩光电二极管，包括：衬底层；生长在衬底层上的N型阻挡层，材料为n型掺杂的InAlAs；生长在N型阻挡层上的倍增区；生长在倍增区上的空间电荷层，材料为InAlAs；生长在空间电荷层上的过渡层，材料的结构通式为In(1‑x‑y)AlxGayAs；生长在过渡层上的光吸收层；生长在光吸收层上的P型阻挡层；生长在P型阻挡层上接触层，材料为P型掺杂的InGaAs。本发明能够解决无法在保持低噪声的同时获得高增益的问题；提升雪崩光电二极管的工作性能；同时，在保持低噪声的同时可获得高增益。

公开(公告)号：CN117276367A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311250059.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 赵雅琪 ,  关晓宁 ,  贾宝楠 ,  王坤 ,  芦鹏飞 ,  周峰

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种中波红外探测器、探测器探测方法及制备方法，所述中波红外探测器的器件结构包括：依次相连的衬底、缓冲层、第一接触层、吸收层、势垒层、第二接触层和盖层；第一接触层和吸收层分别包含有多个依次叠设的第一材料层，第一材料层包括依次叠设的第一InAs材料层和第一GaSb材料层；势垒层和第二接触层分别包含有多个依次叠设的第二材料层，第二材料层包括依次叠设的第二InAs材料层、第二GaSb材料层、AlSb材料层和第三GaSb材料层。本申请中的中波红外探测器经测试在77K时拥有较好的量子效率，同时在保证量子效率的前提下有效抑制了暗电流水平，进而提升探测器的工作性能。

公开(公告)号：CN116705892B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202310670238.4

申请日：2023-06-07

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 孙童 ,  关晓宁 ,  贾宝楠 ,  周峰 ,  刘刚 ,  芦鹏飞

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管，其结构包括依次设置的衬底、第一阻挡层、倍增层、电荷层、第一过渡层、吸收层、第二阻挡层、接触层。所述雪崩二极管整体采用分离吸收渐变电荷倍增结构，其中倍增层采用双异质结结构，吸收层采用部分耗尽吸收结构，该结构有效提升了器件增益，降低了过剩噪声，实现对1‑1.5μm短波范围内的光吸收。同时适度增加过渡层厚度可以分担部分吸收层电压，在保证漂移至电荷层光生电子数目的同时降低器件暗电流；调制结构中每层组分、厚度和掺杂浓度来获得特殊的电场分布。本发明可有效控制暗电流处于较低数量级，并且使得光电流倍增明显，三级下倍增因子就可达150，噪声因子在2左右，性质较好，材料易于生长。

公开(公告)号：CN116705892A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310670238.4

申请日：2023-06-07

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 孙童 ,  芦鹏飞 ,  关晓宁 ,  贾宝楠 ,  周峰 ,  刘刚

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管，其结构包括依次设置的衬底、第一阻挡层、倍增层、电荷层、第一过渡层、吸收层、第二阻挡层、接触层。所述雪崩二极管整体采用分离吸收渐变电荷倍增结构，其中倍增层采用双异质结结构，吸收层采用部分耗尽吸收结构，该结构有效提升了器件增益，降低了过剩噪声，实现对1‑1.5μm短波范围内的光吸收。同时适度增加过渡层厚度可以分担部分吸收层电压，在保证漂移至电荷层光生电子数目的同时降低器件暗电流；调制结构中每层组分、厚度和掺杂浓度来获得特殊的电场分布。本发明可有效控制暗电流处于较低数量级，并且使得光电流倍增明显，三级下倍增因子就可达150，噪声因子在2左右，性质较好，材料易于生长。

公开(公告)号：CN117276367B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311250059.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 赵雅琪 ,  关晓宁 ,  贾宝楠 ,  王坤 ,  周峰

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种中波红外探测器、探测器探测方法及制备方法，所述中波红外探测器的器件结构包括：依次相连的衬底、缓冲层、第一接触层、吸收层、势垒层、第二接触层和盖层；第一接触层和吸收层分别包含有多个依次叠设的第一材料层，第一材料层包括依次叠设的第一InAs材料层和第一GaSb材料层；势垒层和第二接触层分别包含有多个依次叠设的第二材料层，第二材料层包括依次叠设的第二InAs材料层、第二GaSb材料层、AlSb材料层和第三GaSb材料层。本申请中的中波红外探测器经测试在77K时拥有较好的量子效率，同时在保证量子效率的前提下有效抑制了暗电流水平，进而提升探测器的工作性能。

公开(公告)号：CN117317053A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311343877.6

申请日：2023-10-17

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 关晓宁 ,  杜美芹 ,  贾宝楠 ,  孙童 ,  芦鹏飞 ,  刘刚

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供一种五级倍增的雪崩光电二极管，包括：衬底层；生长在衬底层上的N型阻挡层，材料为n型掺杂的InAlAs；生长在N型阻挡层上的倍增区；生长在倍增区上的空间电荷层，材料为InAlAs；生长在空间电荷层上的过渡层，材料的结构通式为In(1‑x‑y)AlxGayAs；生长在过渡层上的光吸收层；生长在光吸收层上的P型阻挡层；生长在P型阻挡层上接触层，材料为P型掺杂的InGaAs。本发明能够解决无法在保持低噪声的同时获得高增益的问题；提升雪崩光电二极管的工作性能；同时，在保持低噪声的同时可获得高增益。

公开(公告)号：CN116091621A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211741419.3

申请日：2022-12-30

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 颜玢玢 ,  万华明 ,  桑新柱 ,  陈铎 ,  王鹏 ,  杨泽元 ,  李宁驰 ,  曾哲昊 ,  贾宝楠 ,  王葵如

IPC: G06T7/80

Abstract: 本发明提供一种环形相机阵列的参数标定方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：基于环形相机阵列中每个相机采集的待测物体在不同角度下对应的多帧第一图像，确定每个相机对应的相机内参；将环形相机阵列中的所有相机按序进行分组，得到多组相机，并基于每组相机中每个相机采集的待测物体在不同角度下对应的多帧第二图像，确定每组相机对应的初始相机外参；其中，每组相机包括多个相机，相邻两组相机中存在相同的相机；对多个初始相机外参进行联合优化处理，确定环形相机阵列对应的目标相机外参；根据相机内参及目标相机外参，确定环形相机阵列对应的联合标定参数结果。该方法能够对环形相机阵列对应的相机参数进行准确标定。