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公开(公告)号：CN117276367A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311250059.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种中波红外探测器、探测器探测方法及制备方法，所述中波红外探测器的器件结构包括：依次相连的衬底、缓冲层、第一接触层、吸收层、势垒层、第二接触层和盖层；第一接触层和吸收层分别包含有多个依次叠设的第一材料层，第一材料层包括依次叠设的第一InAs材料层和第一GaSb材料层；势垒层和第二接触层分别包含有多个依次叠设的第二材料层，第二材料层包括依次叠设的第二InAs材料层、第二GaSb材料层、AlSb材料层和第三GaSb材料层。本申请中的中波红外探测器经测试在77K时拥有较好的量子效率，同时在保证量子效率的前提下有效抑制了暗电流水平，进而提升探测器的工作性能。
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公开(公告)号：CN119069024A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410960829.X
申请日：2024-07-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种无铅双钙钛矿卤化物稳定性预测方法及系统，该方法包括以下步骤：从数据源中获取待测定的无铅双钙钛矿卤化物的相关数据；从无铅双钙钛矿卤化物的相关数据中筛选出多个特征项的数据，将每两种特征项组合为一个特征组合；计算每个特征组合中两种特征项的皮尔逊相关系数，对计算得到的全部皮尔逊相关系数进行筛选；基于待测定的无铅双钙钛矿卤化物对应的测试集评估多个模型的性能，选定模型；基于筛选后的皮尔逊相关系数构建输入数据，并输入到选定的模型中，选定的模型输出待测定的无铅双钙钛矿卤化物的形成能数值，基于所述形成能数值判定待测定的无铅双钙钛矿卤化物是否稳定。
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公开(公告)号：CN116705892B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310670238.4
申请日：2023-06-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管，其结构包括依次设置的衬底、第一阻挡层、倍增层、电荷层、第一过渡层、吸收层、第二阻挡层、接触层。所述雪崩二极管整体采用分离吸收渐变电荷倍增结构，其中倍增层采用双异质结结构，吸收层采用部分耗尽吸收结构，该结构有效提升了器件增益，降低了过剩噪声，实现对1‑1.5μm短波范围内的光吸收。同时适度增加过渡层厚度可以分担部分吸收层电压，在保证漂移至电荷层光生电子数目的同时降低器件暗电流；调制结构中每层组分、厚度和掺杂浓度来获得特殊的电场分布。本发明可有效控制暗电流处于较低数量级，并且使得光电流倍增明显，三级下倍增因子就可达150，噪声因子在2左右，性质较好，材料易于生长。
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公开(公告)号：CN106100741A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610701837.8
申请日：2016-08-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B10/25 , H04B10/2581 , H04B10/69
Abstract: 本发明实施例公开了一种信号均衡方法及装置，应用于多芯多模光通信系统的接收端，所述方法包括：针对每一纤芯，从通过所述纤芯接收到的信号中提取第一训练序列集合，其中，所述第一训练序列集合至少包含一组训练序列；从所述接收端预先存储的多组训练序列中，确定与第一训练序列集合对应的第二训练序列集合；根据所述第二训练序列集合和所述第一训练序列集合，确定针对所述纤芯的传输矩阵；根据所述传输矩阵对所述信号进行均衡；根据通过所有纤芯接收到的信号，利用重采样技术，确定芯矩阵；根据所述芯矩阵对所有均衡后的信号再次进行均衡。应用本发明实施例，降低了信号均衡过程中的运算量，提高了均衡效率。
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公开(公告)号：CN120057865A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510051124.0
申请日：2025-01-13
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂调控的红外吸收材料、制备方法及红外探测器，通过在碲化钠镓材料中引入硒原子替换碲原子，按照原子量1:4至1:2的掺杂比例进行掺杂，调控材料的能带结构和光学特性获得新的红外吸收材料，显著改善其在红外波段的光吸收性能。针对这种红外吸收材料的组分特征，提供针对性的制备方案，通过对设定原理质量的钠单质、镓单质、碲单质和硒单质进行研磨、二次熔融和退火处理完成制备，不仅精确调整带隙和吸收强度，还兼顾了材料的对称性和晶体稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119208416A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411279569.6
申请日：2024-09-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/105 , G01J5/48 , G01D5/26
Abstract: 本发明提供一种中波红外探测芯片及系统，所述芯片由同一平面内布设的多个检测单元构成，所述检测单元依次由衬底、缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层和上接触层组成，所述芯片基于nBp型结构设置，缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层和上接触层均采用多周期层叠布置的超晶格结构，通过控制每个周期内层叠布置多层InAs掺杂层和GaSb掺杂层的厚度、层数和掺杂浓度，以实现在中红外探测过程中对暗电流的抑制，并且有效提高量子效率。
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公开(公告)号：CN118759717A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410951891.2
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种120°弯曲超导光子晶体波导设计的拓扑优化方法，属于光学器件及光传输技术领域。本发明提供的一种120°弯曲超导光子晶体波导设计的拓扑优化方法包括以下步骤：采用有限元方法，通过排列连续的圆形晶柱构建弯曲光子晶体波导模型，分析了弯曲光子晶体波导的光学性质，来获得电磁波在弯曲光子晶体波导模型中的传输特性变化，并利用基于梯度下降的拓扑优化方法改变每个圆形晶柱的相对位置从而设计低损耗和高对比度传输的120°弯曲超导光子晶体波导。本发明将拓扑优化引入光子晶体中，针对光子晶体模型结构的拓扑调整，从而实现光的高效传输。
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公开(公告)号：CN117317053B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311343877.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供一种五级倍增的雪崩光电二极管，包括：衬底层；生长在衬底层上的N型阻挡层，材料为n型掺杂的InAlAs；生长在N型阻挡层上的倍增区；生长在倍增区上的空间电荷层，材料为InAlAs；生长在空间电荷层上的过渡层，材料的结构通式为In(1‑x‑y)AlxGayAs；生长在过渡层上的光吸收层；生长在光吸收层上的P型阻挡层；生长在P型阻挡层上接触层，材料为P型掺杂的InGaAs。本发明能够解决无法在保持低噪声的同时获得高增益的问题；提升雪崩光电二极管的工作性能；同时，在保持低噪声的同时可获得高增益。
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公开(公告)号：CN118129918A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410130949.7
申请日：2024-01-30
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供抑制暗电流的分时共享红外读出电路、装置和红外成像仪，电路包括多个探测器像元、多个像元导通开关、暗电流抑制模块、电容跨阻放大器和相关双采样电路。探测器像元感应红外光并产生感应电流，多像元连接像元导通开关，像元导通开关按照预设通断顺序将感应电流导出。暗电流抑制模块包括分流管和带隙基准电路，带隙基准电路产生两个基准电压分别与分流管的栅极和源极相连对分流管进行偏置，分流管的源漏两端接通感应电流以撇除其中暗电流。电容跨阻放大器接入撇除暗电流后的感应电流进行积分放大并转化为第一电压。相关双采样电路对第一电压进行噪声抑制并输出第二电压。本发明能够通过抑制暗电流和分时共享的方式来提升电路动态范围。
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公开(公告)号：CN116705892A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310670238.4
申请日：2023-06-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管，其结构包括依次设置的衬底、第一阻挡层、倍增层、电荷层、第一过渡层、吸收层、第二阻挡层、接触层。所述雪崩二极管整体采用分离吸收渐变电荷倍增结构，其中倍增层采用双异质结结构，吸收层采用部分耗尽吸收结构，该结构有效提升了器件增益，降低了过剩噪声，实现对1‑1.5μm短波范围内的光吸收。同时适度增加过渡层厚度可以分担部分吸收层电压，在保证漂移至电荷层光生电子数目的同时降低器件暗电流；调制结构中每层组分、厚度和掺杂浓度来获得特殊的电场分布。本发明可有效控制暗电流处于较低数量级，并且使得光电流倍增明显，三级下倍增因子就可达150，噪声因子在2左右，性质较好，材料易于生长。
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