公开(公告)号：CN117317053B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311343877.6

申请日：2023-10-17

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 关晓宁 ,  杜美芹 ,  贾宝楠 ,  孙童 ,  刘刚

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供一种五级倍增的雪崩光电二极管，包括：衬底层；生长在衬底层上的N型阻挡层，材料为n型掺杂的InAlAs；生长在N型阻挡层上的倍增区；生长在倍增区上的空间电荷层，材料为InAlAs；生长在空间电荷层上的过渡层，材料的结构通式为In(1‑x‑y)AlxGayAs；生长在过渡层上的光吸收层；生长在光吸收层上的P型阻挡层；生长在P型阻挡层上接触层，材料为P型掺杂的InGaAs。本发明能够解决无法在保持低噪声的同时获得高增益的问题；提升雪崩光电二极管的工作性能；同时，在保持低噪声的同时可获得高增益。

公开(公告)号：CN117317053A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311343877.6

申请日：2023-10-17

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 关晓宁 ,  杜美芹 ,  贾宝楠 ,  孙童 ,  芦鹏飞 ,  刘刚

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供一种五级倍增的雪崩光电二极管，包括：衬底层；生长在衬底层上的N型阻挡层，材料为n型掺杂的InAlAs；生长在N型阻挡层上的倍增区；生长在倍增区上的空间电荷层，材料为InAlAs；生长在空间电荷层上的过渡层，材料的结构通式为In(1‑x‑y)AlxGayAs；生长在过渡层上的光吸收层；生长在光吸收层上的P型阻挡层；生长在P型阻挡层上接触层，材料为P型掺杂的InGaAs。本发明能够解决无法在保持低噪声的同时获得高增益的问题；提升雪崩光电二极管的工作性能；同时，在保持低噪声的同时可获得高增益。