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公开(公告)号：CN119208416A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411279569.6
申请日：2024-09-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/105 , G01J5/48 , G01D5/26
Abstract: 本发明提供一种中波红外探测芯片及系统，所述芯片由同一平面内布设的多个检测单元构成，所述检测单元依次由衬底、缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层和上接触层组成，所述芯片基于nBp型结构设置，缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层和上接触层均采用多周期层叠布置的超晶格结构，通过控制每个周期内层叠布置多层InAs掺杂层和GaSb掺杂层的厚度、层数和掺杂浓度，以实现在中红外探测过程中对暗电流的抑制，并且有效提高量子效率。
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