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公开(公告)号：CN107604324B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710861985.0
申请日：2017-09-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种用于离子传感器的氢终端金刚石表面电化学修复方法，属于半导体基础电路用基体材料制备领域。具体步骤为：a.利用氢气等离子体处理，使金刚石形成表面p型导电沟道，使其实现半导体化；b.采用真空蒸镀的方法在其光刻显影后的金刚石表面制备特定图案的电极，使氢终端金刚石实现电导通；c.将导线通过融焊法或银浆与金电极联结；d.在电极和导线上覆盖一层硅胶保护涂层，避免金属在强腐蚀酸碱溶液中受到损伤；e.将金刚石导线接于工作电极与对电极间，在不同离子溶液下模拟实际环境测试；f.将测试后的金刚石作为工作电极置于强无机酸溶液中，对其进行0～‑3V的负电位线性扫描。最终实现由于表面终端损伤而电阻升高的金刚石表面氢终端得到修复，使表面电阻下降。
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公开(公告)号：CN105331948B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510623007.3
申请日：2015-09-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/503 , C23C16/02
Abstract: 一种表面P型导电金刚石热沉材料的制备制备方法，属于金刚石自支撑膜应用技术领域。本发明以抛光的自支撑金刚石厚膜为基底，经微波氢等离子体表面处理后再沉积一层薄的具有P型导电能力的掺硼金刚石薄膜。由于属于同质外延生长，因此外延的导电层与衬底具有极佳的附着，界面热阻可减小到最低；微波CVD技术制备掺硼金刚石膜层，厚度可控、表面粗糙度低、膜层电导率高；中间采用氢等离子体处理基底表面，可对基底进行原子尺度的清洁，形成的氢悬挂键更有利于掺硼金刚石膜的外延生长。这种表面P型导电金刚石热沉材料可用于某些需要热沉材料表面导电的高功率电子器件封装领域。
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公开(公告)号：CN102699804B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210196311.0
申请日：2012-06-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: B24B29/02
Abstract: 一种金刚石自支撑膜表面平整化的方法，属于金刚石自支撑膜应用技术领域。本发明使用耐高温的覆盖剂和溶剂混合，涂覆在凸凹不平的金刚石膜表面，然后物理的方法将金刚石膜表面凸出部位的覆盖剂去除，固化后将金刚石膜放置在通入一定比例的氧气氛热处理炉中一定时间，暴露的金刚石膜与氧气反应刻蚀，使得凸出的金刚石部分有效快速氧化，最后用机械抛光方法将金刚石自支撑膜抛光获得所要求的表面粗糙度。本方法简便易实施，行之有效，在快速平整化的同时，不减少金刚石自支撑膜的有效厚度，仅将突出部位快速去除，使得表面粗糙度减少，有利于进一步的研磨和抛光，并有效避免由于生长凸出晶粒在大压力快速研磨中可能造成的微裂纹。
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公开(公告)号：CN104465341A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410738255.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/223
CPC classification number: H01L21/04 , H01L21/223
Abstract: 一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变，进而形成选区P-N结。本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P-N结结构，方便基于P-N结型金刚石微电子器件的制作。
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公开(公告)号：CN102861917B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210385129.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种覆盖强结合CVD金刚石层的聚晶金刚石复合片及其制备方法，属于材料、机械以及工具领域。本发明通过向聚晶金刚石层中植入形核面朝外的CVD金刚石小圆柱，使得用直流电弧等离子体CVD技术能够在聚晶金刚石层表面沉积出强结合、高质量的CVD金刚石层。经覆盖强结合CVD金刚石层后，新型的聚晶金刚石复合片的耐高温性和耐磨性将得到很大程度的提升，改进后的聚晶金刚石复合片将更适应于石油与地质钻探和机械加工领域越来越高的钻探效率和加工效率要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101876061B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910242201.1
申请日：2009-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种热障涂层的形成方法。利用本发明的方法在一些需要耐高温工件的表面形成热障涂层，以适应工业的需要，适用于航空航天等高技术领域。本发明的方法，是通过在真空腔室中，对工件进行加热至所需温度，并利用阴极电弧离子源，依次在工件表面形成粘接层金属元素的沉积层、粘接层金属合金和锆合金的混合层、锆合金层、氧化锆复合氧化物层、氧化锆复合氧化物和电子束蒸发锆基氧化物的过渡层以及电子束蒸发锆基氧化物层。
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公开(公告)号：CN102157353A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010578837.6
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于半导体基础电路用基体材料制备技术领域；特别是提供了一种制备高导热电子器件用掺杂金刚石膜复合基片的方法。在金属衬底或石墨过渡层衬底首先进行高密度金刚石形核生长，然后进行沉积掺杂元素的金刚石膜，随后进行金刚石膜生长直至达到所需厚度；脱膜后对金刚石梯度复合基片进行真空热处理，均质化和去除应力；对掺杂的金刚石复合梯度片进行双面研磨和抛光，并达到半导体集成电路用基片的表面光洁度和厚度要求。本发明的优点是：B掺杂的金刚石膜具有高的电子和空穴迁移率；无B掺杂的金刚石膜作为掺杂金刚石膜的衬底支撑，相对较厚的无B掺杂金刚石膜具有高于铜5倍的导热率，能及时将热量传递给散热器。
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公开(公告)号：CN1632165A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410101846.0
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法。采取等离子体CVD技术，由含有氢、碳和硅元素的气体混合物为反应气体，在硬质合金工具上沉积含有金刚石相和硅的金刚石涂层；其中，硅是在金刚石涂层的CVD过程进行的同时，被沉积到金刚石涂层中以及金刚石涂层与硬质合金工具的界面处的；硅元素在金刚石涂层与硬质合金工具界面处的存在与富集使金刚石涂层对硬质合金工具形成高的附着力。所述的CVD技术包括：微波等离子体CVD技术、热丝CVD技术、直流电弧等离子体CVD技术。本发明的优点在于：有效地提高金刚石涂层的附着力并简化了涂层的制备工艺。
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公开(公告)号：CN107840332A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711084169.X
申请日：2017-11-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/28
Abstract: 生物应用的羟基终端纳米金刚石的高效终端化制备方法，属于生物及医药用功能化基本材料制备领域。工艺步骤为：a.采用混合酸酸洗并用去离子水清洗纳米金刚石粉悬浊液至中性；b.将纳米金刚石粉与四氢铝锂溶于四氢呋喃的溶液加入高温反应釜内胆至容积的60％-90％；c.封闭高温反应釜外层钢套并置于恒温加热箱，并保持恒温；d.达保温时间后，待冷却取出反应后溶液，加入盐酸，其不与金刚石及四氢呋喃反应而是用于溶解金属离子；e.离心分离并多次去离子水清洗纳米金刚石粉至中性无酸残留；f.丙酮清洗后乙醇超声清洗制得羟基终端纳米金刚石悬浊液，从而得到分散纯净的高质量羟基终端纳米金刚石。本发明方法方便简单，反应速率快，在同比例体积溶液下能够实现更多纳米金刚石粉末的终端化。
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公开(公告)号：CN105525274A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610052136.6
申请日：2016-01-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的石英钟罩，所述石英钟罩，为下端圆柱形筒，上端为带有多个石英圆环的半球形封口；所述石英圆环呈水平阵列分布于半球形封口的中下部，且石英圆环的外径与圆柱形筒的外径相同，在外加风冷的条件下，该石英圆环起到增加散热的作用。应用本发明在微波等离子体化学气相沉积的过程中，能有效提高石英钟罩的散热能力，降低石英钟罩的温度，减缓活性基团在半球形封口内表面上的沉积，降低沉积物对等离子体放电的影响及对试样污染的倾向，有时降低石英钟罩温度，也会减轻等离子体对石英钟罩的刻蚀，采用本发明可适当提高输入的微波功率，提高试样的沉积速率和质量。
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