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公开(公告)号：CN104465341A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410738255.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/223
CPC classification number: H01L21/04 , H01L21/223
Abstract: 一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变，进而形成选区P-N结。本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P-N结结构，方便基于P-N结型金刚石微电子器件的制作。
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公开(公告)号：CN104328390B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410498719.2
申请日：2014-09-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/513
Abstract: 一种GaN/金刚石膜复合片的制备方法，属于半导体基础电路用基体材料制备领域。通过喷射电弧等离子体对GaN的湮没钝化实现高导热金刚石的直接生长，工艺步骤为：a.利用喷射电弧等离子体激活的碳原子基团CH*、CH2*和CH3*对GaN衬底进行轰击，实现表面湮没钝化，形成碳注入GaN结构；b.等离子体中引入氮源实现氮离子或原子在GaN表面高浓度吸附，避免GaN分解；c.以GaN中建立的碳?碳键网络为基础，利用含碳基团的快速输运，实现无界面高导热金刚石膜的高密度形核和生长；d.沉积结束后，利用等离子体原位加热GaN/金刚石膜复合片，缓解金刚石膜快速生长过程中的生长应力；e.对于非自支撑GaN单晶，需去除衬底及真空退火消除残余应力。
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公开(公告)号：CN104465341B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410738255.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/223
Abstract: 一种金刚石膜表面选区扩散形成P‑N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变，进而形成选区P‑N结。本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P‑N结结构，方便基于P‑N结型金刚石微电子器件的制作。
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公开(公告)号：CN104328390A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410498719.2
申请日：2014-09-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/56
Abstract: 一种GaN/金刚石膜复合片的制备方法，属于半导体基础电路用基体材料制备领域。通过喷射电弧等离子体对GaN的湮没钝化实现高导热金刚石的直接生长，工艺步骤为：a.利用喷射电弧等离子体激活的碳原子基团CH*、CH2*和CH3*对GaN衬底进行轰击，实现表面湮没钝化，形成碳注入GaN结构；b.等离子体中引入氮源实现氮离子或原子在GaN表面高浓度吸附，避免GaN分解；c.以GaN中建立的碳-碳键网络为基础，利用含碳基团的快速输运，实现无界面高导热金刚石膜的高密度形核和生长；d.沉积结束后，利用等离子体原位加热GaN/金刚石膜复合片，缓解金刚石膜快速生长过程中的生长应力；e.对于非自支撑GaN单晶，需去除衬底及真空退火消除残余应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107275192B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710556211.7
申请日：2017-07-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于低成本单晶金刚石制备高性能金刚石半导体的方法，属于新型半导体制备技术领域。工艺步骤为：a.将市售廉价高温高压Ib型单晶金刚石衬底进行酸洗，去除表面夹杂物并形成钝化氧终结表面；b.采用微波氢等离子体短时处理活化金刚石表面并裸露出新鲜的C‑C悬挂键；c.采用微波等离子体化学气相沉积法在新鲜的金刚石表面外延生长高质量单晶金刚石薄层，主要通过引入具有自修复功能的氧原子，实现低位错密度与杂质含量的金刚石薄层外延；d.关闭碳源与氧源，采用微波氢等离子体处理外延生长后的金刚石表面，获得高的氢终结密度，在氢气气氛下冷却至室温，即获得高导电性能的金刚石半导体。本发明简化了工艺流程，降低了技术难度和生产成本，缩短了生产周期。
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公开(公告)号：CN107275192A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710556211.7
申请日：2017-07-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于低成本单晶金刚石制备高性能金刚石半导体的方法，属于新型半导体制备技术领域。工艺步骤为：a.将市售廉价高温高压Ib型单晶金刚石衬底进行酸洗，去除表面夹杂物并形成钝化氧终结表面；b.采用微波氢等离子体短时处理活化金刚石表面并裸露出新鲜的C-C悬挂键；c.采用微波等离子体化学气相沉积法在新鲜的金刚石表面外延生长高质量单晶金刚石薄层，主要通过引入具有自修复功能的氧原子，实现低位错密度与杂质含量的金刚石薄层外延；d.关闭碳源与氧源，采用微波氢等离子体处理外延生长后的金刚石表面，获得高的氢终结密度，在氢气气氛下冷却至室温，即获得高导电性能的金刚石半导体。本发明简化了工艺流程，降低了技术难度和生产成本，缩短了生产周期。
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公开(公告)号：CN105036106B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510406256.7
申请日：2015-07-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/182 , C01B32/25
Abstract: 一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法，属于半导体材料制备领域。通过金刚石表面处理后自助转移石墨烯制备石墨烯/金刚石定向超高导热复合材料，工艺步骤为：a.制备态金刚石膜经精密机械抛光获得低于1nm粗糙度的表面，也可在激光、等离子体等手段辅助下实现；b.表面精密抛光后的金刚石膜经硫酸和硝酸混合溶液煮沸后，形成表面洁净均一的氧终结；c.通过高真空环境或氢气气氛下退火使得氧终结脱附形成碳的悬挂键或氢终结；d.依托于一定衬底的石墨烯经腐蚀衬底后向转移介质转移；e.进一步利用水的表面张力，依托于转移介质的石墨烯平铺于活性金刚石表面形成原子键合，经有机溶剂溶解转移介质最终获得石墨烯/金刚石定向超高导热复合材料。
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公开(公告)号：CN105036106A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510406256.7
申请日：2015-07-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B31/00
Abstract: 一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法，属于半导体材料制备领域。通过金刚石表面处理后自助转移石墨烯制备石墨烯/金刚石定向超高导热复合材料，工艺步骤为：a.制备态金刚石膜经精密机械抛光获得低于1nm粗糙度的表面，也可在激光、等离子体等手段辅助下实现；b.表面精密抛光后的金刚石膜经硫酸和硝酸混合溶液煮沸后，形成表面洁净均一的氧终结；c.通过高真空环境或氢气气氛下退火使得氧终结脱附形成碳的悬挂键或氢终结；d.依托于一定衬底的石墨烯经腐蚀衬底后向转移介质转移；e.进一步利用水的表面张力，依托于转移介质的石墨烯平铺于活性金刚石表面形成原子键合，经有机溶剂溶解转移介质最终获得石墨烯/金刚石定向超高导热复合材料。
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公开(公告)号：CN209109984U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821698191.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于锡圆环片成型的模具。所述模具，包括圆形凸模和圆形凹模，所述圆形凸膜和圆形凹模的相应位置上加工有相互对应的圆环形凸台和圆环形凹槽。圆形凹模边缘均匀分布螺纹通孔，螺纹通孔处设置有螺纹配合的具有限位作用的螺丝柱。将锡丝分别缠绕在凹模的不同直径的圆环形凹槽内。本实用新型结构简单，实用性强，能够显著提高工作效率，具有很高的应用及推广前景。
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