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公开(公告)号：CN116111990B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211326699.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器，包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss，所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压，由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流，因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响，具有较好的精度。
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公开(公告)号：CN119310312A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411446949.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种同轴连接器及互调测试方法，属于通信电路领域。所述同轴连接器包括：连接器本体、壳体和盖体，所述连接器本体为中空结构；所述连接器本体穿设于所述壳体，所述壳体开设有与所述连接器本体连通的窥测孔，所述窥测孔用于供近场探头插入；所述盖体与所述窥测孔可拆卸连接，所述盖体、所述连接器本体及所述壳体共同限定出屏蔽腔。本申请可实现采用近场辐射测试方法对同轴连接器进行互调测试，快速且精确地定位同轴连接器中互调较为突出的区域，无需将同轴连接器拆卸下来进行互调测试，且无需对移动通信系统的通信链路关机并停止服务，降低维护难度，降低维护时的影响范围。
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公开(公告)号：CN118336653A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410281016.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片保护电路、芯片、电子设备及芯片保护方法。该电路包括：驱动器保护电路以及接收器保护电路；其中，所述驱动器保护电路与所述芯片的驱动器的第一使能端连接；所述接收器保护电路与所述芯片的接收器的第二使能端连接；所述驱动器保护电路，用于控制所述第一使能端的电平，以对所述驱动器进行保护；所述接收器保护电路，用于控制所述第二使能端的电平，以对所述接收器进行保护。本发明能够降低成本且提高电路响应速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115603586B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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公开(公告)号：CN115603586A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司(CN) , 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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公开(公告)号：CN118534287A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410539629.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及芯片测试领域，公开一种自动化配置系统与自动化测试系统。所述配置系统包括：两个测试板，每个板配置有与多个测试项相应的多个配置单元集合，每个集合包括继电器及电阻，继电器与RS485芯片的相应引脚相连；及上位机，被配置有与多个测试项相应的多个配置项集合，每个配置项集合包括每个测试项下的两个配置项子集合，其中配置项子集合包括多个配置单元集合中的继电器在每个测试项下的工作状态，用于执行：调用与特定测试项相对应的两个特定配置项子集合；根据两个特定配置项子集合分别控制对应于两个测试板上的继电器动作，以分别将多个配置单元集合中的与特定测试项适配的多个电阻与相应引脚相连，从而实现RS485芯片测试的自动化配置与测试。
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公开(公告)号：CN117647718A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311514634.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及芯片测试领域，尤其涉及一种芯片共模干扰测试电路及方法。该电路包括：AC/DC转换电路、隔离高压电源模块电路、驱动电路以及串联MOSFET；其中，AC/DC转换电路的输出端分别与所述待测试芯片的电源端和隔离高压电源模块电路的输入端连接，AC/DC转换电路的输出端还与所述驱动电路连接，隔离高压电源模块电路的参考地和待测试芯片的第一参考地连接，隔离高压电源模块电路的输出与串联MOSFET的第一漏极连接，驱动电路的输出与反向串联MOSFET的栅极连接，所述驱动电路的参考地与反向串联MOSFET的源极连接，反向串联MOSFET的第二漏极与待测试芯片的第二参考地连接。本发明能够提高测试效率并且提高测试准确性以及可重复性。
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公开(公告)号：CN116111990A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211326699.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器，包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss，所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压，由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流，因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响，具有较好的精度。
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