公开(公告)号：CN115188724A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210345628.X

申请日：2022-03-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 吕晓瑞 ,  刘建松 ,  孔令松 ,  林鹏荣 ,  王勇

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 一种基于液态相变材料的多芯片封装一体化自散热结构，属集成电路封装散热技术领域。本发明采用芯片内嵌微流道与相变材料结合的方式实现三维叠层封装散热结构设计，芯片之间微流道通过微型管通孔实现连通，可使叠层的内部芯片热量高效传导至上层热沉或散热器，是叠层芯片封装散热的一种有效解决方案。本发明适用于凸点倒装或引线键合的三维叠层封装的散热结构的设计，也可推广应用到大功率单芯片封装散热结构的设计。

公开(公告)号：CN119943761A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411926560.X

申请日：2024-12-25

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 葛一铭 ,  刘建松 ,  孔令松 ,  张炜 ,  戴晨毅 ,  李宗阳

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及了一种大功耗器件高可靠封装引出结构，旨在解决封装结构无法满足大功耗器件高性能的发展需求的问题，本发明包括陶瓷外壳、芯片、陶瓷盖板、柱栅互连结构、源极引脚、栅极引脚、漏极引脚、芯片漏极焊料、盖板密封焊料，陶瓷外壳内部开有适配芯片的悬腔，陶瓷外壳与陶瓷盖板之间通过盖板密封焊料实现密封焊接，芯片正面源极及栅极区域通过柱栅互连结构与陶瓷外壳焊接；芯片背面引出至漏极引脚，芯片正面源极和栅极分别通过柱栅互连结构和陶瓷外壳引出至源极引脚和栅极引脚，能极大提高整个芯片封装的集成度，有效解决引线键合类的芯片封装高性能、高可靠、小型化等问题，满足大功耗器件高性能的发展需求。

公开(公告)号：CN116403972A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310338200.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 刘建松 ,  孔令松 ,  吕晓瑞 ,  黄颖卓

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/06 ,  H01L23/043 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 一种用于MOS芯片的陶瓷倒装焊封装结构，MOS芯片上侧具有漏极、所述漏极与漏极转接结构上侧的焊接面焊接，所述漏极转接结构下侧的转接面与陶瓷外壳的漏极焊接区域焊接；下侧具有源极和栅极，所述源极与陶瓷外壳的源极焊接区域焊接，所述栅极与陶瓷外壳的栅极焊接区域焊接；热沉通过热沉粘接胶与所述漏极转接结构顶部连接；陶瓷外壳的下侧具有阵列排布的引出端；外壳内部布线分别连接漏极焊接区域、源极焊接区域、栅极焊接区域与所述引出端的相应区域。本结构采用倒装结构，不需要粘片空间、键合空间和封口空间等，减少了器件的尺寸。

公开(公告)号：CN114203647A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111448058.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 刘建松 ,  吕晓瑞 ,  孔令松 ,  黄颖卓

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/08

Abstract: 本发明公开了一种VDMOS陶瓷封装结构，包括：第一金属框架、第二金属框架、陶瓷外壳、导热一体式盖板和VDMOS芯片；其中，第一金属框架包括第一支撑段、第一上横段和第一下横段；第二金属框架包括第二支撑段、第二上横段和第二下横段。本发明在保证器件优良的电学和散热性能的同时，大大提高在高温、高湿度等恶劣环境下的可靠性。

公开(公告)号：CN113517243A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110726026.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 王勇 ,  吕晓瑞 ,  刘建松 ,  孔令松 ,  林鹏荣

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473

Abstract: 一种非气密性陶瓷倒装焊封装散热结构，包括芯片、匀热片、散热器、液态金属和导热粘接胶；芯片无源面设计凹槽，匀热片底部设计凸起，匀热片底部凸起表面通过芯片凹槽内的液态金属与芯片实现低热阻互连，匀热片其余表面通过导热粘接胶与芯片实现互连；匀热片顶部设计凹槽，散热器底部设计凸起，散热器底部凸起通过匀热片凹槽内的液态金属与匀热片实现低热阻互连，散热器其余表面通过导热粘接胶与匀热片实现互连。本发明创造性采用液态金属实现匀热片与芯片和散热器的粘接互连，保障了界面间100％接触，显著降低互连界面热阻，同时消除了对可焊接表面和焊接的需求，解决高功耗倒装焊封装散热路径界面热阻偏高抑制散热的问题。本发明适用于单芯片、2.5D多芯片等多种封装散热结构的设计。