公开(公告)号：CN119253533A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411153070.0

申请日：2024-08-21

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 贾明昊 ,  王瑛 ,  张翼 ,  彭领 ,  王磊 ,  孔瀛 ,  贾兰超 ,  胡贵才 ,  陈俞岐 ,  李保厚 ,  曲绍贤

IPC: H02H5/04

Abstract: 本发明公开了一种低功耗过温保护电路，包括正温度系数电压产生电路和比较器电路。正温度系数电压产生电路部分用于产生与工作环境温度成正比的电压，比较器电路部分用于检测前级电路产生的电压，当电路温度升高，电压超过设定值，比较器电路输出低电平，后级电路关断，实现过温保护功能，当电路温度重新降低，比较器电路输出恢复正常，后级电路正常工作。本发明结构简单，成本低廉，可广泛应用于总线收发器、驱动器、控制器、保护IC等模拟集成电路。

公开(公告)号：CN115912278A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211160059.8

申请日：2022-09-22

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 贾明昊 ,  陈俞岐 ,  杨晓君 ,  王瑛 ,  彭领 ,  孔瀛 ,  吕超 ,  王枭鸿

IPC: H02H7/20 ,  H02H3/24

Abstract: 本申请涉及欠压保护电路领域，具体公开了一种欠压保护电路，包括分压电路部分和放大电路部分；分压电路部分包括：第一电阻、第二电阻和第一NMOS管，第一电阻的第一端与电源端口电连接，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端电连接，第二电阻的第二端与第一NMOS管的漏极电连接，第一NMOS管的栅极与电源端口电连接，第一NMOS管的源极与地电连接且与第一NMOS管的衬底电连接；放大电路部分用于放大电源电压的变化情况。本申请解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。