-
公开(公告)号：CN108010962B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711227122.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N‑集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率‑击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
-
公开(公告)号：CN106169498A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610617990.2
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0607 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
-
公开(公告)号：CN107093840B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710548931.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
-
公开(公告)号：CN107124157A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710270950.X
申请日：2017-04-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)。其中，调制单元(2)与第一跨导单元连接，用于增大有源电感的Q值和带宽；第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路，第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路，主回路和从回路进行并联，增大了整个回路中用来合成电感的等效电容，从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐，而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。
-
公开(公告)号：CN106169498B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610617990.2
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108010962A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711227122.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N-集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率-击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
-
公开(公告)号：CN107124157B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710270950.X
申请日：2017-04-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)。其中，调制单元(2)与第一跨导单元连接，用于增大有源电感的Q值和带宽；第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路，第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路，主回路和从回路进行并联，增大了整个回路中用来合成电感的等效电容，从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐，而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。
-
公开(公告)号：CN106301237B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源‑共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
-
公开(公告)号：CN107093840A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710548931.9
申请日：2017-07-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
-
公开(公告)号：CN106301237A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03F1/0216 , H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F2200/372 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源-共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
