公开(公告)号：CN104660185B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201510051759.7

申请日：2015-02-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  陈鹏辉 ,  金冬月 ,  谢红云 ,  赵飞义 ,  邓蔷薇

IPC: H03F1/42

Abstract: 一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M1)构成的共源输入放大级，可以使得第二MOS管(M2)的跨导增强，在实现输入匹配和噪声匹配的同时，实现高增益；第二MOS管(M2)的负载采用并联峰化电感L3和电阻R6，为电路系统提供一个零点，增加了电路系统的稳定性，并拓展其带宽；第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)构成多级电流复用结构，实现了低功耗。本发明提供了一种在2～5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。

公开(公告)号：CN104660185A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510051759.7

申请日：2015-02-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  陈鹏辉 ,  金冬月 ,  谢红云 ,  赵飞义 ,  邓蔷薇

IPC: H03F1/42

Abstract: 一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M1)构成的共源输入放大级，可以使得第二MOS管(M2)的跨导增强，在实现输入匹配和噪声匹配的同时，实现高增益；第二MOS管(M2)的负载采用并联峰化电感L3和电阻R6，为电路系统提供一个零点，增加了电路系统的稳定性，并拓展其带宽；第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)构成多级电流复用结构，实现了低功耗。本发明提供了一种在2～5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。

公开(公告)号：CN106301237B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201610589332.7

申请日：2016-07-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  温晓伟 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  陈鹏辉 ,  黄鑫 ,  陈吉添 ,  刘亚泽 ,  吕晓强 ,  王娜 ,  杨坤 ,  孙丹 ,  郭燕玲

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/26 ,  H03F1/56 ,  H03F3/189

Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源‑共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。

公开(公告)号：CN106301237A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610589332.7

申请日：2016-07-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  温晓伟 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  陈鹏辉 ,  黄鑫 ,  陈吉添 ,  刘亚泽 ,  吕晓强 ,  王娜 ,  杨坤 ,  孙丹 ,  郭燕玲

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/26 ,  H03F1/56 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/0216 ,  H03F1/26 ,  H03F1/56 ,  H03F3/189 ,  H03F2200/372 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源-共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。