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公开(公告)号：CN119395795A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411433789.X
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B1/00 , G02B5/00 , G02B5/08 , B05D1/00 , B05D3/02 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/02 , C23C18/12 , C23C28/00
Abstract: 一种可增强钙钛矿光吸收的超表面结构，涉及微纳光子器件技术领域。在硅衬底上的钙钛矿薄膜上直接刻蚀圆柱形超表面单元，根据米氏共振理论，通过超表面的共振效果来减少光的反射；再通过热蒸镀在硅衬底的背面蒸镀上一层金属单质作为反射镜，通过镜面反射光束来实现减少光的透射；以上结构设计成功实现了钙钛矿薄膜光吸收率的增强。该结构设计简单，参数可调，可实现不同波段下的光吸收增强；同时直接在钙钛矿表面进行超表面加工，使得整个结构更加紧凑。
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公开(公告)号：CN116621713A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310584396.8
申请日：2023-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C07C211/27 , H10K85/50 , H10K30/40 , C07C209/00 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 一种有机‑无机杂化手性钙钛矿薄膜的制备方法，属于有机‑无机杂化手性钙钛矿材料领域。本方法直接将手性有机盐和卤化铅前驱体混合溶解于有机溶剂中，进行充分搅拌直至完全溶解，再使用移液枪滴加在旋涂所用的透明衬底上，后续再经过退火处理，在常压下，生成高质量手性钙钛矿薄膜样品，薄膜表面均匀性高，并且能够用于圆偏振光电探测。该工艺步骤简单，可复现性高，周期较短，且成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742138B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201910000686.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生电容，提高器件频率特性；降低漏电流，使得器件具有更低的功耗；消除闩锁效应以及改善混频信号电路串扰问题。Si3N4绝缘层改善器件热阻，达到降低器件整体温度分布的目的。晶体管的SiGe基区中Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯型分布结构，在保证较高特征频率和较大电流增益的同时，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，器件的温度敏感性得到改善。所述晶体管的结温更低，电流增益和静态工作点抗扰动能力更强，可在较宽的工作偏置范围内实现器件的热稳定工作。
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公开(公告)号：CN109742138A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910000686.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生电容，提高器件频率特性；降低漏电流，使得器件具有更低的功耗；消除闩锁效应以及改善混频信号电路串扰问题。Si3N4绝缘层改善器件热阻，达到降低器件整体温度分布的目的。晶体管的SiGe基区中Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯型分布结构，在保证较高特征频率和较大电流增益的同时，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，器件的温度敏感性得到改善。所述晶体管的结温更低，电流增益和静态工作点抗扰动能力更强，可在较宽的工作偏置范围内实现器件的热稳定工作。
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公开(公告)号：CN116465496A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310396982.X
申请日：2023-04-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01J4/04
Abstract: 一种高精度线偏振信息测量装置，涉及半导体线偏振光信息测量相关技术领域。包括探测单元模块、电压处理模块、计算及输出模块三部分。两组通过电路串联且最大偏振敏感方向分别相差45°的4个探测器作为探测单元模块，当线偏振光照射下，在一定电源偏置下，探测单元模块产生两路电压，产生的电压仅与偏振角度有关；两路电压经过电压处理模块，分别通过编程增益的电压放大器和差值处理电路得到一路过滤了共模干扰的电压信号；最后将处理后的电压信号传递给计算及输出模块，模块中的计算单元通过计算处理通过通信的方式交给显示设备，得到可视化的线偏振信息。
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公开(公告)号：CN108010962B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711227122.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N‑集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率‑击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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公开(公告)号：CN108010962A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711227122.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N-集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率-击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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