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公开(公告)号：CN115347879A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210863879.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种电压调谐有源电感，由第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，有源反馈电阻单元(4)，有源反馈电容单元(5)，分流单元(6)，第一直流偏置单元(7)，第二直流偏置单元(8)共八个单元构成。八个单元的分工和协作，可分别实现如下六种电感综合性能：在高频工作区，具有大电感值且电感值相对于Q值可大范围独立调节；在高频工作区，具有高Q值且Q值相对于电感值可大范围独立调节；在对工作频带进行大范围调节时，Q峰值可保持基本不变；在对Q峰值进行大范围调节时，工作频带可保持基本不变；在对工作频带进行大范围调节时，电感峰值可保持基本不变；在对电感峰值进行大范围调节时，工作频带可保持基本不变。
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公开(公告)号：CN112420858B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202011120442.1
申请日：2020-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种硅基脊波导光电晶体管探测器。该晶体管包括Si衬底、在Si衬底上制备的SiO2 BOX层、在BOX层上依次制备的Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区，其中由n型Si次集电区、n型Si集电区、p型Si0.8Ge0.2基区和n型多晶硅发射区构成渐变耦合脊波导结构。一种硅基脊波导光电晶体管探测器的入射光，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式，由Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区构成的波导的端面侧向入射，光传输方向与载流子运动方向垂直，实现被探测光由侧边探测吸收，缓解光响应度和光电响应速度之间的矛盾，为提高光吸收效率和提高载流子传输速度提供了机会。
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公开(公告)号：CN109450404B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201811219238.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种可工作在Ku波段的有源电感，包括第一Q‑增强型跨导器单元(1)，第二Q‑增强型跨导器单元(2)，第一可调输入单元(3)，第二可调输入单元(4)。其中，第一Q‑增强型跨导器单元(1)与第一可调输入单元(3)串联构成第一级阻抗变换电路，第二Q‑增强型跨导器单元(2)与第二可调输入单元(4)串联构成第二级阻抗变换电路，且第一级阻抗变换电路与第二级阻抗变换电路级联，使得有源电感的总等效电容减小，阻抗变换次数增加，最终获得了高Q值，大电感值，可工作在Ku波段的有源电感。
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公开(公告)号：CN110310984B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201910575002.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/735 , H01L29/737 , H01L27/02 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(22)与SiGe基区(23)均以Si发射区(24)为对称中心呈中心对称分布，将有利于减小各子晶体管之间的热耦合，改善各子晶体管的散热能力，进而降低各子晶体管的热阻，实现所述晶体管等温分布的目的。与常规的横向SiGe异质结双极晶体管相比，在相同的环境温度、工作电压以及总集电极电流情况下，所述晶体管中各子晶体管的热阻更小，峰值结温更低，且所述晶体管的温度分布和电流分布更加均匀，从而有利于所述晶体管的热稳定工作。
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公开(公告)号：CN114448388A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210045299.7
申请日：2022-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种宽频带压控有源电感，包括低噪声跨导单元(1)，双支路跨导单元(2)，第一可调偏置单元(3)，第二可调偏置单元(4)，可调补偿单元(5)共5个单元。低噪声跨导单元(1)与双支路跨导单元(2)连接构成感性反馈回路，并取得低的噪声；第一可调偏置单元(3)和第二可调偏置单元(4)共同为反馈回路提供偏置电流，同时与可调补偿单元(5)的两个可调电压源一起，实现对有源电感性能的调控。通过所述5个单元及其4个调控端(Vtune1、Vtune2、Vtune3、Vtune4)的分工合作，使有源电感在高频区的同一频率下高Q峰值和电感峰值、宽频带且频带可相对于电感峰值独立调节、低噪声等多种性能集于一体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112688162B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011554812.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的注入电流大于第二垂直腔面发射激光器单元的注入电流；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，大于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，可在不改变各个垂直腔面发射激光器单元原有台面排布的基础上，实现在较大偏置范围内对垂直腔面发射激光器阵列中结温分布均匀性的有效改善，进而提高其输出光束质量。
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公开(公告)号：CN112347704A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011414317.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种高效的基于贝叶斯理论的人工神经网络微波器件建模方法，用于解决目前的微波器件神经网络建模方法繁琐耗时，难以满足日益提高的缩短微波器件和电路设计周期要求的问题。本方法首先找到对应的神经网络模型所需的最优的有效参数个数，然后通过这个最优的有效参数个数，计算得出所对应的神经网络模型的最优的隐藏层神经元个数，从而得到每个微波器件的神经网络模型的最优结构。此外，该方法可以直接嵌入到神经网络自动模型生成算法中，无论初始设置的隐藏层神经元个数是否接近最优值，均可以非常快速地找到对于当前微波器件建模问题来说最优的神经网络模型结构。该方法与现有技术相比，大大缩短了建模时间，提高了建模效率。
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公开(公告)号：CN111478680A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010309140.2
申请日：2020-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。
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公开(公告)号：CN110556420A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910781958.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/36 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开了一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管，为NPN型或PNP型横向SiGe HBT。通过在NPN型器件发射区和基区下方衬底电极加正电压(或在PNP型器件发射区和基区下方衬底电极加负电压)，可有效增大发射区掺杂浓度并减小基区掺杂浓度，同时提高电流增益和特征频率；通过在NPN型器件集电区下方衬底电极加负电压(或在PNP型器件集电区下方衬底电极加正电压)，可有效降低集电区掺杂浓度，提高击穿电压。与常规横向SiGe HBT相比，所述晶体管可通过改变位于发射区、基区和集电区下方衬底电极的外加电压来独立调节上述三个区的掺杂浓度，从而实现特征频率、电流增益和击穿电压的同步提高。
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公开(公告)号：CN110310984A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910575002.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/735 , H01L29/737 , H01L27/02 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(22)与SiGe基区(23)均以Si发射区(24)为对称中心呈中心对称分布，将有利于减小各子晶体管之间的热耦合，改善各子晶体管的散热能力，进而降低各子晶体管的热阻，实现所述晶体管等温分布的目的。与常规的横向SiGe异质结双极晶体管相比，在相同的环境温度、工作电压以及总集电极电流情况下，所述晶体管中各子晶体管的热阻更小，峰值结温更低，且所述晶体管的温度分布和电流分布更加均匀，从而有利于所述晶体管的热稳定工作。
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