公开(公告)号：CN107093840B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201710548931.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  李鹏涛 ,  赵永东 ,  刘储 ,  李保志 ,  杨嘉炜 ,  刘振扬 ,  郭燕玲 ,  梁津 ,  胡丕丽

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。

公开(公告)号：CN107257084A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710665578.2

申请日：2017-08-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  刘振扬 ,  李鹏涛 ,  胡丕丽 ,  梁津

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/125 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/125 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明提供一种导模共振光栅窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法，利用微纳光栅导模共振效应，将高反射、窄共振线宽的亚波长导模共振微腔结构作为垂直腔面发射激光器一部分，从而达到更窄的激光线宽，更宽的高反带宽，更小的体积和稳定的偏振控制的目的。运用微纳光栅的导膜共振效应，通过等效介质理论计算，设计共振波长为852nm的弱调制的亚波长光栅导模共振微腔结构，在光栅层和波导层之间添加一层用于控制模式线宽的间隔层，模式线宽能达到1nm以下。该种窄线宽垂直腔面发射激光器相对于传统的VCSEL具有更窄的激光线宽，更宽的高反带宽，更小的体积和稳定的偏振控制。

公开(公告)号：CN107093840A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710548931.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  李鹏涛 ,  赵永东 ,  刘储 ,  李保志 ,  杨嘉炜 ,  刘振扬 ,  郭燕玲 ,  梁津 ,  胡丕丽

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。