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公开(公告)号：CN102403044B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010275600.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 北京大学
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/00 , G11C7/04 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C13/0069 , G11C29/06 , G11C29/50016 , G11C2013/0073
Abstract: 本申请公开了一种测试RRAM器件的数据保持特性的方法，包括以下步骤：a)控制样品台的温度，将RRAM器件保持为预定的温度；b)将RRAM器件设置为高阻态或低阻态；c)向RRAM器件施加预定的测试电压，使其发生电阻态失效，以测量数据保持时间；d)重复步骤a)-c)，进行多次测量；e)利用多次测量的数据保持时间，计算出RRAM器件的电阻态失效概率F(t)；以及f)对电阻态失效概率F(t)进行拟合，并利用拟合得到的参数进一步计算出预期数据保持时间tE。优选地，利用电压加速和温度加速相结合预测RRAM器件的数据保持时间。该测试方法可以准确且快速地评估RRAM器件的数据保持特性。
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公开(公告)号：CN103794618A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210434899.9
申请日：2012-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极阻变存储器件利用反向二极管作为访问存储器件的双向开关，并且可以抑制串扰。
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公开(公告)号：CN103778468A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410021568.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种神经网络电路，其特征在于，包括：若干个传感器、若干个第一层神经元支路以及第二层神经元支路。每个第一层神经元支路包括：若干个RRAM器件以及第一层神经元。所述传感器用于将图片的颜色转换为电压信号，并将此电压信号传输给所述RRAM器件；所述RRAM器件根据接收到的电压信号产生电流信号，并传输至所述第一层神经元；所述第一层神经元用于对接收到的电流信号进行求和，若神经元被激活，则向后级发射电压脉冲。第二层神经元支路包括权重RRAM器件以及第二层神经元，所述权重RRAM器件将所述第一层神经元与所述第二层神经元连接起来；所述第二层神经元用于汇总若干个所述第一层神经元的电流信号，然后通过运算产生最后的判断结果。
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公开(公告)号：CN103762973A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310741039.4
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/0944
Abstract: 本发明提供一种基于RRAM的可调幅脉冲产生电路及调节其脉冲幅度的方法，包括顺序连接的一个积分器和一个微分器，其特征在于，所述积分器中的输入电阻为一个带有阻值调节电路的第一RRAM，所述微分器中的反馈电阻为一个带有阻值调节电路的第二RRAM。本发明通过利用RRAM多阻态的特点实现了一种可调幅脉冲产生电路，并且可以在任意时刻对产生脉冲的幅度进行修改，通过利用RRAM作为逻辑器件，进一步拓宽了RRAM的应用领域。
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公开(公告)号：CN102683583B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110062624.2
申请日：2011-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103337253A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310206577.3
申请日：2013-05-29
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种RRAM逻辑器件的级联方法，包括以下步骤：S1、对RRAM器件施加电压信号，使得RRAM器件处于高阻态；S2、利用恒流源读取所述RRAM器件的阻值，并得到RRAM器件的放大电压；S3、将所述RRAM器件的放大电压进行压缩,使其转换成和所述电压信号相对应的压缩电压;并将所述压缩电压传递到下一级RRAM器件；本发明解决了RRAM器件间连接并进行信号传递的问题，为RRAM成为新的逻辑器件提供必要的支持，本发明还提供一种RRAM逻辑器件的级联系统。
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公开(公告)号：CN102156625B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110079815.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个正脉冲电压，使余数阻变器件转变为相应的低阻态；在商阻变器件上施加一个正脉冲电压，使商阻变器件转变为相应的低阻态，并将余数阻变器件转变为高阻态；当施加完b个脉冲后，商阻变器件的当前阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的商，当前余数阻变器件的阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的余数。本发明的方法是仅通过两个器件就可以实现除法功能，该器件结构简单，便于集成，非常适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN102683583A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110062624.2
申请日：2011-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
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公开(公告)号：CN102522418A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110452945.3
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述存储器包括：硅衬底，在所述硅衬底上设有至少一个与其垂直的纳米柱，绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层，绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的隔离层和金属层，所述纳米柱的材料为重掺杂硅。本发明通过按照一定的结构设置，实现了在不增加工艺复杂度的情况下，提供了一种适合于三维集成，并具有自整流特性的存储器。
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