公开(公告)号：CN102403044B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010275600.0

申请日：2010-09-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  张浩炜 ,  高滨 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  王漪 ,  韩汝琦

IPC: G11C29/56

CPC classification number: G11C29/00 ,  G11C7/04 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/06 ,  G11C29/50016 ,  G11C2013/0073

Abstract: 本申请公开了一种测试RRAM器件的数据保持特性的方法，包括以下步骤：a)控制样品台的温度，将RRAM器件保持为预定的温度；b)将RRAM器件设置为高阻态或低阻态；c)向RRAM器件施加预定的测试电压，使其发生电阻态失效，以测量数据保持时间；d)重复步骤a)-c)，进行多次测量；e)利用多次测量的数据保持时间，计算出RRAM器件的电阻态失效概率F(t)；以及f)对电阻态失效概率F(t)进行拟合，并利用拟合得到的参数进一步计算出预期数据保持时间tE。优选地，利用电压加速和温度加速相结合预测RRAM器件的数据保持时间。该测试方法可以准确且快速地评估RRAM器件的数据保持特性。

公开(公告)号：CN102403044A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010275600.0

申请日：2010-09-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  张浩炜 ,  高滨 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  王漪 ,  韩汝琦

IPC: G11C29/56

CPC classification number: G11C29/00 ,  G11C7/04 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/06 ,  G11C29/50016 ,  G11C2013/0073

Abstract: 本发明公开了一种测试RRAM器件的数据保持特性的方法，包括以下步骤：a)控制样品台的温度，将RRAM器件保持为预定的温度；b)将RRAM器件设置为高阻态或低阻态；c)向RRAM器件施加预定的测试电压，使其发生电阻态失效，以测量数据保持时间；d)重复步骤a)-c)，进行多次测量；e)利用多次测量的数据保持时间，计算出RRAM器件的电阻态失效概率F(t)；以及f)对电阻态失效概率F(t)进行拟合，并利用拟合得到的参数进一步计算出预期数据保持时间tE。优选地，利用电压加速和温度加速相结合预测RRAM器件的数据保持时间。该测试方法可以准确且快速地评估RRAM器件的数据保持特性。