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公开(公告)号：CN103794618A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210434899.9
申请日：2012-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极阻变存储器件利用反向二极管作为访问存储器件的双向开关，并且可以抑制串扰。
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公开(公告)号：CN102683583B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110062624.2
申请日：2011-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
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公开(公告)号：CN103501181A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310460273.X
申请日：2013-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种模数转换装置及模数转换方法。该模数转换装置包括：数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电流信号，并对模拟电流信号进行存储；量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电流信号进行量化；编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；所述数据采样保持单元包括阻变存储器。本发明利用阻变存储器实现模数转换过程中的数据存储(或称为保持)，实验表明，数据保持时间可以长达10年，因此能够保证数据的可靠性，从而也保证了模数转换装置的工作可靠性。另外，本发明的装置结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102156625B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110079815.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个正脉冲电压，使余数阻变器件转变为相应的低阻态；在商阻变器件上施加一个正脉冲电压，使商阻变器件转变为相应的低阻态，并将余数阻变器件转变为高阻态；当施加完b个脉冲后，商阻变器件的当前阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的商，当前余数阻变器件的阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的余数。本发明的方法是仅通过两个器件就可以实现除法功能，该器件结构简单，便于集成，非常适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683583A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110062624.2
申请日：2011-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
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公开(公告)号：CN104241521B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201310241828.1
申请日：2013-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 公开了存储阵列及其操作方法和制造方法。一示例存储阵列可以包括：成行列设置以形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管；以及在选择晶体管阵列上堆叠的多个存储单元层，每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列。阻变器件可以包括由第二纳米线、绕第二纳米线形成的阻变材料层以及绕阻变材料层形成的电极层构成MIM配置。该存储阵列还可以包括：多条选择线，每一条选择线电连接至相应的一行选择晶体管；多条位线，每一条位线电连接至相应的一列选择晶体管的一端，各选择晶体管的另一端分别电连接至相邻的存储单元层中相应的阻变器件的第二纳米线；多条字线，每一条字线电连接至相应的存储单元层的电极层。
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公开(公告)号：CN102456157B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010519997.3
申请日：2010-10-20
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/063
Abstract: 本申请提供了一种神经元器件及神经网络，该神经元器件包括底电极层、顶电极层、以及夹在底电极层和顶电极层之间的阻变材料层，其中，神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，便于集成，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，非常适合大规模生产，可以实现多种生物功能和复杂的逻辑运算。
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公开(公告)号：CN102709306B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210195545.3
申请日：2012-06-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通过高迁移率MOS晶体管和忆阻器串联方式，解决了常规MOS晶体管的驱动电流与多阻态存储器开态电流不匹配的问题，同时，利用高迁移率MOS晶体管的大驱动电流能力优势可以获得不同的器件阻态，从而增加数据存储密度，获得较快的存储器件工作速度。
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公开(公告)号：CN102969328A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210521448.9
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法。该结构包括：衬底，衬底上的衬底隔离层，衬底隔离层上方间隔排列的由金属层和隔离层重复叠加组成的条形结构，垂直于衬底隔离层和条形结构的间隔排列的金属柱，所述金属柱与衬底隔离层和条形结构之间存在阻变层。采用本发明的方法及其结构显著提高了集成密度；避免二极管在尺寸缩小后出现的提供电路能力不足的问题；实现多层的交叉阵列结构，显著降低了制造成本，非常适合大规模生产。
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