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公开(公告)号：CN110854269A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911034900.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种小分子有机太阳能电池器件及其制备方法，在传统有机太阳能电池体异质结的结构基础上，利用热蒸发蒸镀法，在不破坏真空条件的情况下改变基片倾斜程度，在活跃层和受体材料之间掠角蒸镀一定厚度给体材料，制造相分离形貌，增大界面粗糙度，增大光吸收，有利于载流子的产生；同时利用C60(C70)和AlPcCl接触的能带弯曲情况降低器件串联电阻，便于电子被阴极收集。本发明为优化小分子有机电池器件结构提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN109881247A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910194043.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法，步骤包括：在Si/SiO2片表面镀上一层金膜，作为衬底；将上述衬底和SnTe粉末源放入石英管中，再将该石英管放入管式加热炉中，采用不参与反应的气体作为清洗气体，通过反复充气排气方式排尽管式加热炉中空气；以氩气作为载气，使SnTe粉末位于加热炉正中间，衬底位于载气流动的下游，启动管式加热炉进行加热升温，于一生长条件下生长纳米线；将管式加热炉向载气流动的下游移动一段距离，继续在同样的生长条件下生长弯折部分的纳米线；自然降温，获得弯折SnTe单晶纳米线。
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公开(公告)号：CN109881247B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910194043.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法，步骤包括：在Si/SiO2片表面镀上一层金膜，作为衬底；将上述衬底和SnTe粉末源放入石英管中，再将该石英管放入管式加热炉中，采用不参与反应的气体作为清洗气体，通过反复充气排气方式排尽管式加热炉中空气；以氩气作为载气，使SnTe粉末位于加热炉正中间，衬底位于载气流动的下游，启动管式加热炉进行加热升温，于一生长条件下生长纳米线；将管式加热炉向载气流动的下游移动一段距离，继续在同样的生长条件下生长弯折部分的纳米线；自然降温，获得弯折SnTe单晶纳米线。
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公开(公告)号：CN105987662B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510053863.X
申请日：2015-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种测量有机半导体异质结物理特性的方法及系统，该系统包括加热系统、真空系统、实验腔体和测量仪表，能够提供E‐7级高真空环境。通过在基底上逐层镀膜，每次镀膜后，在E‐7级高真空环境下进行场发射实验，可以测量不同种类的有机半导体材料形成异质结后的能带变化，进而判断出该组合是否适合光电器件(如有机太阳能电池、有机发光二极管)的制备。此外，这一方法大大节省了测量有机半导体异质结能带弯曲值的成本。
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公开(公告)号：CN105862122B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201610300708.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线;然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层,形成In、Sb的核‑壳结构;然后对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理,使其在固相时发生结晶反应,形成InSb纳米线。在进行锰掺杂时,首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线;然后在纯In纳米线表面沉积Mn膜层,形成In、Mn的核‑壳结构;然后在Mn膜层表面沉积Sb膜层,并进行退火处理,形成Mn掺杂的InSb纳米线。本发明实现了在低温下制备InSb纳米线并进行Mn元素的掺杂,能够得到高Mn含量的InSb纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105862122A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610300708.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B23/007 , B82Y40/00 , C30B29/40 , C30B29/62
Abstract: 本发明涉及一种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核?壳结构；然后对In、Sb的核?壳结构进行退火处理，使其在固相时发生结晶反应，形成InSb纳米线。在进行锰掺杂时，首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Mn膜层，形成In、Mn的核?壳结构；然后在Mn膜层表面沉积Sb膜层，并进行退火处理，形成Mn掺杂的InSb纳米线。本发明实现了在低温下制备InSb纳米线并进行Mn元素的掺杂，能够得到高Mn含量的InSb纳米线。
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公开(公告)号：CN103022362A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210540191.1
申请日：2012-12-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种提高有机高分子聚合物PEDOT:PSS的物理性能的方法，通过在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜，将沾附有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜的基底置于真空度至少为3×10-4Pa的真空腔室中，用紫外线持续照射有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜至少21h，经测量，有机高分子聚合物PEDOT:PSS的功函数及导电性均得到提高，该导电聚合物PEDOT:PSS将会在二极管和其他一些器件的设计中得到更多的应用。
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公开(公告)号：CN110854269B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201911034900.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种小分子有机太阳能电池器件及其制备方法，在传统有机太阳能电池体异质结的结构基础上，利用热蒸发蒸镀法，在不破坏真空条件的情况下改变基片倾斜程度，在活跃层和受体材料之间掠角蒸镀一定厚度给体材料，制造相分离形貌，增大界面粗糙度，增大光吸收，有利于载流子的产生；同时利用C60(C70)和AlPcCl接触的能带弯曲情况降低器件串联电阻，便于电子被阴极收集。本发明为优化小分子有机电池器件结构提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN111952453A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010652392.5
申请日：2020-07-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种双层三元体异质结太阳能电池及其制备方法，属于小分子有机太阳能电池器件领域，该电池的结构为：ITO/ZnPc/ZnPc：C60/ClAlPc：C60/C60/ClAlPc/Al或Ag，其中ITO为阳极，ZnPc为给体层，ZnPc：C60/ClAlPc：C60为活性层，C60为受体层，ClAlPc为阴极缓冲层，Al或Ag为阴极；活性层ZnPc：C60/ClAlPc：C60中的ZnPc和ClAlPc为给体材料，C60为受体材料。本发明通过采取不同顺序关闭蒸发源，能够人为对界面结构进行调节，制备的该电池与小分子材料具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN105987662A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510053863.X
申请日：2015-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种测量有机半导体异质结物理特性的方法及系统，该系统包括加热系统、真空系统、实验腔体和测量仪表，能够提供E‐7级高真空环境。通过在基底上逐层镀膜，每次镀膜后，在E‐7级高真空环境下进行场发射实验，可以测量不同种类的有机半导体材料形成异质结后的能带变化，进而判断出该组合是否适合光电器件(如有机太阳能电池、有机发光二极管)的制备。此外，这一方法大大节省了测量有机半导体异质结能带弯曲值的成本。
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