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公开(公告)号：CN109881247B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910194043.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法，步骤包括：在Si/SiO2片表面镀上一层金膜，作为衬底；将上述衬底和SnTe粉末源放入石英管中，再将该石英管放入管式加热炉中，采用不参与反应的气体作为清洗气体，通过反复充气排气方式排尽管式加热炉中空气；以氩气作为载气，使SnTe粉末位于加热炉正中间，衬底位于载气流动的下游，启动管式加热炉进行加热升温，于一生长条件下生长纳米线；将管式加热炉向载气流动的下游移动一段距离，继续在同样的生长条件下生长弯折部分的纳米线；自然降温，获得弯折SnTe单晶纳米线。
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公开(公告)号：CN109881247A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910194043.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种弯折SnTe单晶纳米线的制备方法，步骤包括：在Si/SiO2片表面镀上一层金膜，作为衬底；将上述衬底和SnTe粉末源放入石英管中，再将该石英管放入管式加热炉中，采用不参与反应的气体作为清洗气体，通过反复充气排气方式排尽管式加热炉中空气；以氩气作为载气，使SnTe粉末位于加热炉正中间，衬底位于载气流动的下游，启动管式加热炉进行加热升温，于一生长条件下生长纳米线；将管式加热炉向载气流动的下游移动一段距离，继续在同样的生长条件下生长弯折部分的纳米线；自然降温，获得弯折SnTe单晶纳米线。
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