公开(公告)号：CN103022362A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210540191.1

申请日：2012-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 邢英杰 ,  钱旻昉

IPC: H01L51/48 ,  C23C14/12 ,  C23C14/58 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了一种提高有机高分子聚合物PEDOT:PSS的物理性能的方法，通过在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜，将沾附有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜的基底置于真空度至少为3×10-4Pa的真空腔室中，用紫外线持续照射有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜至少21h，经测量，有机高分子聚合物PEDOT:PSS的功函数及导电性均得到提高，该导电聚合物PEDOT:PSS将会在二极管和其他一些器件的设计中得到更多的应用。

公开(公告)号：CN103022362B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210540191.1

申请日：2012-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 邢英杰 ,  钱旻昉

IPC: H01L51/48 ,  C23C14/12 ,  C23C14/58 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了一种提高有机高分子聚合物PEDOT:PSS的物理性能的方法，通过在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜，将沾附有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜的基底置于真空度至少为3×10-4Pa的真空腔室中，用紫外线持续照射有机高分子聚合物PEDOT:PSS薄膜至少21h，经测量，有机高分子聚合物PEDOT:PSS的功函数及导电性均得到提高，该导电聚合物PEDOT:PSS将会在二极管和其他一些器件的设计中得到更多的应用。