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公开(公告)号：CN119421512A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510020263.7
申请日：2025-01-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用。本发明浮栅晶体管包括背栅衬底、范德华异质结沟道层以及该沟道层两侧的源、漏电极，所述背栅衬底为表面覆盖用于非易失光存储的氧化铪/氧化铝/氧化铪（HfO2/Al2O3/HfO2）的重掺杂硅，所述范德华异质结沟道层由用于传感的铋氧硒‑硒化钯纳米片组成。本发明浮栅晶体管同时具备对紫外‑近红外宽光谱的快速响应与光的非易失存储能力，可以有效提高光电探测器的敏感光谱响应范围和响应度，从而实现对动态目标光信号在空间域和时间域上的器件内整合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119421594A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510020563.5
申请日：2025-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H10K30/65 , H10K71/00 , H10F30/282 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。本发明包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿吸光层，铋氧硒沟道层两侧设有源、漏电极，其中钙钛矿吸光层与亚硒酸氧铋势垒阻挡层的价带能级差小于其导带能级差，使空穴的隧穿势垒小于电子的隧穿势垒，在可见光下钙钛矿中的光生空穴隧穿到铋氧硒沟道中，产生光信号的负响应。而在红外光下由于钙钛矿的吸光范围截至于800 nm，光生载流子产生于窄带隙（0.8 eV）的铋氧硒沟道中，增加沟道中的电子浓度，产生光信号的正响应。
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公开(公告)号：CN119451249B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510028149.9
申请日：2025-01-08
Applicant: 北京大学
IPC: H10F30/282 , H10F77/12 , G06V10/147 , G06V10/82 , G06V20/54 , G06V20/40 , G06F18/25 , G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种视听融合神经元器件及视听融合的目标探测方法，属于智能识别技术领域。所述视听融合神经元器件是以铁电半导体铋氧硒为沟道层的背栅结构的光电探测器，视觉信息以光功率的形式照射到沟道上，产生光电导效应；听觉信息转换为电压信号传输到栅电极上引发沟道的铁电极化，极化方向有效调控了沟道电导，进一步调控沟道的光生载流子产生以及传输行为，从而实现非线性的视听融合。基于该视听融合的超加性、反有效性以及时空融合原则，可以有效进行可靠性增强的视听融合目标识别，特别是连续模糊目标的探测，包括但不限于车辆方位探测及车辆类型识别。
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公开(公告)号：CN119421512B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510020263.7
申请日：2025-01-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用。本发明浮栅晶体管包括背栅衬底、范德华异质结沟道层以及该沟道层两侧的源、漏电极，所述背栅衬底为表面覆盖用于非易失光存储的氧化铪/氧化铝/氧化铪（HfO2/Al2O3/HfO2）的重掺杂硅，所述范德华异质结沟道层由用于传感的铋氧硒‑硒化钯纳米片组成。本发明浮栅晶体管同时具备对紫外‑近红外宽光谱的快速响应与光的非易失存储能力，可以有效提高光电探测器的敏感光谱响应范围和响应度，从而实现对动态目标光信号在空间域和时间域上的器件内整合。
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公开(公告)号：CN119421594B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510020563.5
申请日：2025-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H10K30/65 , H10K71/00 , H10F30/282 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。本发明包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿吸光层，铋氧硒沟道层两侧设有源、漏电极，其中钙钛矿吸光层与亚硒酸氧铋势垒阻挡层的价带能级差小于其导带能级差，使空穴的隧穿势垒小于电子的隧穿势垒，在可见光下钙钛矿中的光生空穴隧穿到铋氧硒沟道中，产生光信号的负响应。而在红外光下由于钙钛矿的吸光范围截至于800 nm，光生载流子产生于窄带隙（0.8 eV）的铋氧硒沟道中，增加沟道中的电子浓度，产生光信号的正响应。
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公开(公告)号：CN119451249A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510028149.9
申请日：2025-01-08
Applicant: 北京大学
IPC: H10F30/282 , H10F77/12 , G06V10/147 , G06V10/82 , G06V20/54 , G06V20/40 , G06F18/25 , G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种视听融合神经元器件及视听融合的目标探测方法，属于智能识别技术领域。所述视听融合神经元器件是以铁电半导体铋氧硒为沟道层的背栅结构的光电探测器，视觉信息以光功率的形式照射到沟道上，产生光电导效应；听觉信息转换为电压信号传输到栅电极上引发沟道的铁电极化，极化方向有效调控了沟道电导，进一步调控沟道的光生载流子产生以及传输行为，从而实现非线性的视听融合。基于该视听融合的超加性、反有效性以及时空融合原则，可以有效进行可靠性增强的视听融合目标识别，特别是连续模糊目标的探测，包括但不限于车辆方位探测及车辆类型识别。
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