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公开(公告)号：CN113621080B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111049461.4
申请日：2021-09-08
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
Abstract: 本发明涉及一种用于预防或治疗子痫前期及相关病症的药物及其应用，更为具体的，本发明涉及CD39‑diannexin融合蛋白，所述融合蛋白通过对子痫前期促凝血小板产生的抑制，达到预防或治疗子痫前期及相关病症的效果。对临床中子痫前期的治疗策略具有重要价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN111494608A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010382186.7
申请日：2020-05-08
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
Abstract: 本发明涉及预防或治疗子痫前期及相关病症的药物及其应用，本发明创造性的证实Diannexin对子痫前期及其相关病症的预防或治疗。本发明的药物既能抑制母体的全身炎症反应，降低血压，又不会导致母体和胎儿潜在出血风险；对提升临床预防或治疗子痫前期的能力和安全性具有重要价值和应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113621080A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111049461.4
申请日：2021-09-08
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
Abstract: 本发明涉及一种用于预防或治疗子痫前期及相关病症的药物及其应用，更为具体的，本发明涉及CD39‑diannexin融合蛋白，所述融合蛋白通过对子痫前期促凝血小板产生的抑制，达到预防或治疗子痫前期及相关病症的效果。对临床中子痫前期的治疗策略具有重要价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN116450541A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310201954.8
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京大学
IPC: G06F12/0862
Abstract: 本发明提供一种自适应数据预取方法、装置、设备、介质及程序产品，包括：确定各个预取策略的第一预取性能信息；基于第一预取性能信息和各个预取策略，确定第一目标预取策略，并关闭除目标预取策略之外的所有预取策略；基于运行第一目标预取策略时对应的第二预取性能信息，对第一目标预取策略的预取配置进行调节，确定第二目标预取策略；其中，各个预取策略包括第一目标预取策略，第二目标预取策略为调节第一目标预取策略的预取配置后得到的，预取策略用于执行访存操作，以基于访存操作将从内存中获取的数据存储至高速缓存中。本发明实现了一种适配所有应用场景的具有自适应特性的数据预存技术。
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公开(公告)号：CN113241105A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110545849.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明提供一种自适应辅助强度电路，包括：电平转换器和典型辅助电路；所述电平转换器，用于接收基准电压和静态随机存储器的供电电压，输出辅助电压；所述辅助电路，用于接收所述辅助电压，输出位线电压；所述位线电压作用于静态随机存储器的位线单元。本发明提供的自适应辅助强度电路，通过电平转换器改变辅助电路中的反相器的供电电压，以实现在SRAM工作在不同工作电压下可以输出不同的辅助强度，达到改变辅助强度的目标，提高SRAM在较低工作电压下的稳定性，以及降低SRAM的门管所承受的最大电压，同时大幅降低SRAM在高工作电压下的功耗，使SRAM可以稳定工作在一个较宽泛的工作电压范围，进而提高SRAM的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113241105B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110545849.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明提供一种自适应辅助强度电路，包括：电平转换器和典型辅助电路；所述电平转换器，用于接收基准电压和静态随机存储器的供电电压，输出辅助电压；所述辅助电路，用于接收所述辅助电压，输出位线电压；所述位线电压作用于静态随机存储器的位线单元。本发明提供的自适应辅助强度电路，通过电平转换器改变辅助电路中的反相器的供电电压，以实现在SRAM工作在不同工作电压下可以输出不同的辅助强度，达到改变辅助强度的目标，提高SRAM在较低工作电压下的稳定性，以及降低SRAM的门管所承受的最大电压，同时大幅降低SRAM在高工作电压下的功耗，使SRAM可以稳定工作在一个较宽泛的工作电压范围，进而提高SRAM的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116504777A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310266883.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备，涉及集成电路技术，包括：基于第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点确定目标坐标列表；第一检测金属层和第二检测金属层为相邻的两层金属层；基于第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔确定待检测坐标列表；将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比，得到电源通孔连接完整性的检测结果。本发明将相邻金属层之间的目标坐标列表和待检测坐标列表作对比，将集成电路中电源通孔连接完整性的检测由多次遍历数据库检索转变为对坐标列表的比较处理，得到电源通孔连接完整性的检测结果，可避免多次访问数据库导致时间开销大的问题，节省服务器内存资源。
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