公开(公告)号：CN113241105B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202110545849.7

申请日：2021-05-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  张瀚尊 ,  张捷 ,  王源

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种自适应辅助强度电路，包括：电平转换器和典型辅助电路；所述电平转换器，用于接收基准电压和静态随机存储器的供电电压，输出辅助电压；所述辅助电路，用于接收所述辅助电压，输出位线电压；所述位线电压作用于静态随机存储器的位线单元。本发明提供的自适应辅助强度电路，通过电平转换器改变辅助电路中的反相器的供电电压，以实现在SRAM工作在不同工作电压下可以输出不同的辅助强度，达到改变辅助强度的目标，提高SRAM在较低工作电压下的稳定性，以及降低SRAM的门管所承受的最大电压，同时大幅降低SRAM在高工作电压下的功耗，使SRAM可以稳定工作在一个较宽泛的工作电压范围，进而提高SRAM的使用寿命。

公开(公告)号：CN113241105A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110545849.7

申请日：2021-05-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  张瀚尊 ,  张捷 ,  王源

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种自适应辅助强度电路，包括：电平转换器和典型辅助电路；所述电平转换器，用于接收基准电压和静态随机存储器的供电电压，输出辅助电压；所述辅助电路，用于接收所述辅助电压，输出位线电压；所述位线电压作用于静态随机存储器的位线单元。本发明提供的自适应辅助强度电路，通过电平转换器改变辅助电路中的反相器的供电电压，以实现在SRAM工作在不同工作电压下可以输出不同的辅助强度，达到改变辅助强度的目标，提高SRAM在较低工作电压下的稳定性，以及降低SRAM的门管所承受的最大电压，同时大幅降低SRAM在高工作电压下的功耗，使SRAM可以稳定工作在一个较宽泛的工作电压范围，进而提高SRAM的使用寿命。