公开(公告)号：CN104362605B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410645020.4

申请日：2014-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  郭海兵 ,  陆光易 ,  曹健 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种瞬态触发静电放电保护电路，包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、以及钳位晶体管。本发明提供的一种瞬态触发静电放电保护电路，在不使用电流镜的前提下，大大缩小了瞬态触发静电放电保护电路的面积，同时比之于电流镜的应用，能够在ESD事件结束后快速下拉相应NMOS管的栅压到0电位，以减少漏电；由于电阻R用PMOS晶体管MR的替换，使得等效的RC时间常数在ESD冲击来临瞬间较小，而后变大，因此可以有效防止快速上电等情况带来的误触发。

公开(公告)号：CN104392983B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410637764.1

申请日：2014-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  郭海兵 ,  陆光易 ,  张立忠 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H01L23/60

Abstract: 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护电路领域，尤其涉及一种利用瞬态触发的、维持电压可调的ESD保护电路。该维持电压可调的静电放电保护电路包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅，所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括，维持电压调节模块；所述维持电压调节模块，与所述可控硅相连，包括：电阻R2、电容C2、反相器INV1、以及PMOS晶体管Mp1和MP2。本文提供的维持电压可调的静电放电保护电路，能够保证芯片在非工作状态时，维持电压大大低于电源电压，以更充分地泄放静电电荷；芯片在工作状态时，维持电压大于电源电压，以避免闩锁效应。

公开(公告)号：CN104283201B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410461667.1

申请日：2014-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  陆光易 ,  曹健 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种输入级ESD保护电路，所述输入级ESD保护电路包括电源钳位ESD保护电路、镇流模块、传输门模块、反相器驱动模块、二极管模块；本发明通过合理利用电源钳位ESD保护电路中已有的探测信号资源，同步对传输门模块和镇流模块进行驱动，有效实现了在最坏ESD冲击情况下，静电电荷通过设计好的泄放通路泄放，在芯片正常操作时，保证数据的无衰减传输，同时，保证ESD保护设计给芯片带来的额外版图开销很小。

公开(公告)号：CN103888129B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410088168.2

申请日：2014-03-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  张雪琳 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03K19/094

Abstract: 本发明公开了一种高速CML锁存器，所述CML锁存器在传统的CML锁存器的基础上增加一个NMOS晶体管，利用晶体管来提升锁存支路的偏置电流，从而使锁存支路达到更高的放大增益，起到提升电路速度的作用。本发明的高速CML锁存器相比于传统CML锁存器，其功耗增加了很少，工作频率高达15.2Hz，实现了在控制功耗的前提下提高工作速度的目的。

公开(公告)号：CN103997337B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410239798.5

申请日：2014-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  甘善良 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明公开了一种低功耗低相位噪声电感电容压控振荡器(LC-VCO)。本发明电感电容压控振荡器采用开关控制的并联NMOS交叉耦合负阻单元，这些开关同时控制电容阵列，使得在不同的电容阵列选通情况下，有适当的交叉耦合负阻被选通接入电路以提供振荡能量，而不必在不同的电容阵列选通情况下一直提供最大振荡能量，因此，可以降低电路功耗。另外，本发明压控振荡器采用不同偏置电压的可变电容并联组合，增加了可变电容的电容—电压线性度，从而降低了可变电容带来的相位噪声。

公开(公告)号：CN104682950A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410740717.X

申请日：2014-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  王子一 ,  刘黎 ,  王源 ,  张钢刚

IPC: H03K19/20

Abstract: 本发明公开了一种基于延时的双轨预充逻辑与非门电路以及异或门电路，通过对现有技术中基于延时的双轨预充逻辑与非门电路以及异或门电路的中PMOS晶体管或NMOS晶体管的位置变换以及增减PMOS晶体管或NMOS晶体管，实现对异或门和与非门电路的改进；改进后非门电路、异或门能实现更平衡的功耗、更快的速度、更低的功耗，同时更好的抗击差分功耗攻击。

公开(公告)号：CN104392989A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410638547.4

申请日：2014-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  郭海兵 ,  陆光易 ,  张立忠 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅作为泄放器件的ESD保护电路。该ESD保护电路包括泄放器件可控硅，以及PMOS晶体管MP；其中，所述PMOS晶体管MP的源极与正向偏置的二极管D2的n端相连，所述PMOS晶体管MP的漏极接地，所述PMOS晶体管MP的栅极与电源管脚VDD相连；其中，二极管D1、所述可控硅的寄生三极管Qpnp的发射极-基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻Rn、所述二极管D2以及所述PMOS晶体管MP构成所述直流触发模块。本发明提供的直流触发基于可控硅的ESD保护电路，在芯片正常工作时有效的减少了漏电流；在ESD冲击来临时，可控硅作为泄放器件仍能有效触发。

公开(公告)号：CN102751992B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201210254339.5

申请日：2012-07-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  郭广亮 ,  苏炜 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03M1/66

Abstract: 本发明涉及动态元素匹配编码技术领域，公开了一种动态元素匹配编码方法，包括以下步骤：S1、输入数字信号；S2、将所述数字信号分为两部分L和R，设置指向所述数字信号中各元素的指针，并利用所设置的指针分别对L和R进行动态元素匹配编码，输出对应于L的M1个元素C1到CM1以及对应于R的M-M2+1个元素CM2到CM，其中M、M1、M2均为正整数，且M1是对M/2进行截尾取整得到的数。本发明能够在将失配引起的失真转换为噪声的同时，减小每个采样周期的开关跳变数。

公开(公告)号：CN104253410A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410461278.9

申请日：2014-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  陆光易 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H3/20 ,  H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种防过压击穿型输入级ESD保护电路，所述防过压击穿型输入级ESD保护电路包括二极管模块、电源钳位ESD保护电路、镇流模块、传输门模块以及直流电压探测模块。本发明公开的防过压击穿型输入级ESD保护电路通过有效探测输入压焊点上的过压现象，在ESD事件发生时，断开压焊点与输入级反相器栅氧化层之间的电连接，并把输入级反相器的输入端强制偏置到零，同时，对输入级反相器到电源线之间采用动态电阻的连接方式，确保了芯片功能电路在最坏ESD冲击情况下的安全，并保证在芯片正常操作时，数据传输没有衰减。

公开(公告)号：CN104242285A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410461417.8

申请日：2014-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  陆光易 ,  曹健 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明涉及一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路，涉及集成电路芯片静电放电保护设计的技术领域。本发明公开的防闩锁型电源钳位ESD保护电路包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管。本发明提出的防闩锁型电源钳位ESD保护电路其泄放晶体管的触发由瞬态触发模块实现，其泄放晶体管开启状态的维持由直流电压探测模块实现，本发明提出的防闩锁型电源钳位ESD保护电路如果被高频噪声误触发，会在很短的时间后自动脱离误触发状态，有效防止闩锁现象的发生。