公开(公告)号：CN102710122A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210184066.1

申请日：2012-06-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种正高压电荷泵，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压，提高其栅极与源极的电压差，使开关导通时PMOS栅压为零，从而减小导通时的电压损失并提高PMOS导通性能，从而增强开关泵送电荷能力。

公开(公告)号：CN102543147A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210016651.0

申请日：2012-01-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  高晓敏 ,  何燕东 ,  杜刚 ,  康晋锋 ,  张兴

IPC: G11C7/08

Abstract: 本发明公开了一种多值存储电路的读取电路及读取方法，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器分别接收选中单元和不同参考单元的信号，所述第二灵敏放大器的输出端输出MSB信号，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的栅极接收MSB信号，所述第一灵敏放大器的输出端连接n型MOS晶体管的源极，所述第三灵敏放大器的输出端连接p型MOS晶体管的源极，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的漏极并联输出LSB信号。与现有的并行读取电路相比，本发明具有面积小、读容限大的优点，与现有的串行电路相比，本发明具有结构简单、速度快、功耗低的特点。

公开(公告)号：CN102751867B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201210239819.4

申请日：2012-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助支路中PMOS管电荷导通能力，减小了电压损失，从而提高了输出电压，减小了电压上升时间，提高了电路整体电压上升阶段电压的斜率，同时很好地减小了由栅极控制辅助支路直接控制传输主支路中PMOS管栅极时存在的较大反向电流。

公开(公告)号：CN102710122B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201210184066.1

申请日：2012-06-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种正高压电荷泵，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压，提高其栅极与源极的电压差，使开关导通时PMOS栅压为零，从而减小导通时的电压损失并提高PMOS导通性能，从而增强开关泵送电荷能力。

公开(公告)号：CN102751867A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210239819.4

申请日：2012-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助支路中PMOS管电荷导通能力，减小了电压损失，从而提高了输出电压，减小了电压上升时间，提高了电路整体电压上升阶段电压的斜率，同时很好地减小了由栅极控制辅助支路直接控制传输主支路中PMOS管栅极时存在的较大反向电流。