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公开(公告)号：CN118244695A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410339605.7
申请日：2024-03-25
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G05B19/19
Abstract: 本申请提供了一种基于组合式运动的晶圆加工控制方法以及系统，通过多个运动台的协同运动来控制晶粒在晶圆上按照预设运动轨迹进行移动，每个运动台由对应的一驱动层来进行驱动，每个驱动层执行以下处理：接收调度层下发的与驱动层对应的运动台的多个加工动作指令；将多个加工动作指令下发至对应的运动台，并控制运动台按照执行顺序依次执行每个加工动作指令。本申请通过运动台接收多个加工动作指令进行连续运动，控制晶粒按照预设运动轨迹执行连续运动，节约了晶粒的动作等待时间，提高了晶圆加工的效率。
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公开(公告)号：CN107091881B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710436901.9
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G01N29/06
Abstract: 本发明涉及一种高分辨率超声扫描显微镜的加速处理方法，包括步骤：设置超声扫描参数，启动扫描流程；开辟两个线程以并行方式进行大规模超声数据的采集和处理，数据采集通过设置专用超声数据门的方式，针对感兴趣区域的超声回波信号进行采集，数据处理通过直接内存存取DMA技术高速读取并实时简化单个采样点的超声A波形数据；扫描结束后，将每个扫描点简化后的超声成像关键数据合并，通过设置的图像生成方式形成对应的超声扫描图像；通过实时抽样方法将大尺寸超声图像转换为显示控件大小再进行实时显示。本发明能够加速高分辨超声扫描显微镜扫描过程中对海量超声数据的采集和处理，使整个系统具有极高的实时性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783738B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201611206121.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: H01L21/78
Abstract: 一种芯片不规则分布的晶圆切割方法，包括步骤如下：步骤一，通过控制模块控制移动工作台和相机，对工作台上的晶圆进行扫描，实现逐一全面的图像采集；步骤二，对扫描中得到的每一帧图像进行处理；步骤三，确定晶圆是否扫描完毕；步骤四：当晶圆扫描完毕，整合晶圆数据；步骤五：判断整个晶圆中所有的待处理芯片的切割轨迹是否都确定完毕；步骤六：当所有的待处理芯片的切割轨迹都确定完毕，将每个待处理芯片的切割位置信息输入振镜中；步骤七：将工作台移动到振镜下方，通过振镜控制激光对晶圆进行切割。本发明实现了对加工不规范而形成芯片不规则分布的晶圆切割，具有切割无残渣、效率高的特点。
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公开(公告)号：CN107091881A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710436901.9
申请日：2017-06-09
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G01N29/06
Abstract: 本发明涉及一种高分辨率超声扫描显微镜的加速处理方法，包括步骤：设置超声扫描参数，启动扫描流程；开辟两个线程以并行方式进行大规模超声数据的采集和处理，数据采集通过设置专用超声数据门的方式，针对感兴趣区域的超声回波信号进行采集，数据处理通过直接内存存取DMA技术高速读取并实时简化单个采样点的超声A波形数据；扫描结束后，将每个扫描点简化后的超声成像关键数据合并，通过设置的图像生成方式形成对应的超声扫描图像；通过实时抽样方法将大尺寸超声图像转换为显示控件大小再进行实时显示。本发明能够加速高分辨超声扫描显微镜扫描过程中对海量超声数据的采集和处理，使整个系统具有极高的实时性。
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公开(公告)号：CN115477138A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211128845.X
申请日：2022-09-16
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本发明提供一种掩模传输装置及掩模传输系统，涉及半导体设备领域。所述掩模传输装置包括两个承载机构和连接部，所述连接部包括在第一方向上相对的第一侧部和第二侧部，所述第一侧部与两个所述承载机构中的一者连接，所述第二侧部与两个所述承载机构中的另一者连接，所述承载机构用于承载掩模版，所述连接部用于与所述掩模传输装置的外部设备连接，以使所述掩模传输装置被所述外部设备驱动旋转。本发明的掩模传输装置及掩模传输系统解决了现有的掩模传输系统设备复杂度较高，空间利用率低的问题，提升了掩模传输系统的空间利用率。
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公开(公告)号：CN109227221A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811328940.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: B23Q11/12
Abstract: 本发明提供的一种双螺旋主轴温控系统及其控制方法，涉及设备制造技术领域，包括：双螺旋轴套机构，双螺旋轴套机构包括双螺旋轴套、主轴和安装座；双螺旋轴套的内壁或主轴的外壁沿轴向开设有两个螺旋状的螺旋凹槽，主轴通过安装座密封安装在双螺旋轴套内，两个螺旋凹槽在主轴和双螺旋轴套之间构成循环连通的进水通路和出水通路；双螺旋轴套上设置有进水口和出水口，进水口和出水口分别与进水通路和出水通路连通；供水机构的出口与进水口连通；供水机构的进口与出水口连通；温控机构用于监测进水口位置和出水口位置的水温值；控制机构与供水机构和温控机构控制连接，用于根据温控机构的监测结果控制供水机构的供水量。
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公开(公告)号：CN106783738A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611206121.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 一种芯片不规则分布的晶圆切割方法，包括步骤如下：步骤一，通过控制模块控制移动工作台和相机，对工作台上的晶圆进行扫描，实现逐一全面的图像采集；步骤二，对扫描中得到的每一帧图像进行处理；步骤三，确定晶圆是否扫描完毕；步骤四：当晶圆扫描完毕，整合晶圆数据；步骤五：判断整个晶圆中所有的待处理芯片的切割轨迹是否都确定完毕；步骤六：当所有的待处理芯片的切割轨迹都确定完毕，将每个待处理芯片的切割位置信息输入振镜中；步骤七：将工作台移动到振镜下方，通过振镜控制激光对晶圆进行切割。本发明实现了对加工不规范而形成芯片不规则分布的晶圆切割，具有切割无残渣、效率高的特点。
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