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公开(公告)号：CN111074238B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201811215894.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种调平装置及其调平方法、半导体处理设备。该调平装置，用于对基座相对于腔室的平行度和同轴度进行调节，其包括调平工装，调平工装包括水平安装部、竖直安装部以及连接水平安装部与竖直安装部的竖直连接部；其中，水平安装部的下表面用于与腔室的上表面贴合，竖直安装部的下表面与支撑件的安装面贴合，以使得基座与腔室的平行度满足预设要求，竖直连接部贯穿于腔室的安装孔中，竖直连接部的外周壁与安装孔的内周壁相配合，使得基座与腔室的同轴度满足预设要求。采用调平工装对基座与腔室进行调平、调对中，可以极大简化基座调平调对中的工艺，并且还能够极大地提高基座的安装精度，从而可以有效保证成膜均匀性，提高工艺良率。
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公开(公告)号：CN111304629B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201811511088.8
申请日：2018-12-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种腔室组件，包括腔体、腔室盖，其特征在于，还包括铰接模块，所述铰接模块设置在所述腔体与所述腔室盖之间，用于实现所述腔室盖的开合，且在所述铰接模块内设有气体通路，所述气体通路用于将外部气源提供的工艺气体经所述腔体和所述腔室盖通入所述腔体的内部。即使腔室盖处于开启状态，气体通路仍然处于封闭状态，而不会暴露在大气环境中，从而避免了在开启腔室盖，以取放衬底或者维护腔室时，因人为操作导致的颗粒掉落进气体通路，进而可以保证腔室的洁净度，降低薄膜的颗粒缺陷，提高器件的质量及产品良率。
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公开(公告)号：CN112593208B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202011340051.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室内包括工艺区及传片区；进气装置设置于工艺腔室的顶部，用于向工艺区内通入工艺气体；承载装置包括有基座及导流结构，基座可升降的设置于传片区内，用于承载待加工件；导流结构设置于基座内，与一供气源连接，用于在基座位于工艺位置时，沿基座的周向吹出气体，在基座外周与工艺腔室内壁之间形成气墙，以隔绝工艺气体进入传片区；工艺腔室传片区的内壁中设有排气结构，当基座位于工艺位置时，导流结构与排气结构相对，排气结构用于排出导流结构吹出的气体。本申请实施例实现了工艺区与传片区之间完全隔离，从而大幅缩短工艺腔室吹扫时间以提高半导体工艺设备的产能。
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公开(公告)号：CN109321897B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201710638808.6
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种原子层沉积系统，具有反应腔室，与反应腔室相连接的前驱体传输管路，第一惰性气体传输管路与反应腔室连接，用于向反应腔室传输惰性气体，以维持反应腔室压力平稳；第二惰性气体传输管路与反应腔室连接，用于向反应腔室输送惰性气体，对反应腔室内进行吹扫，以及与反应腔室连接的真空管路和真空泵，用于抽出反应腔室内多余的气体，从而避免了复杂的气体清洁过程，减少了前驱体反应源的浪费；同时，确保了反应腔室的压强和气流场的稳定，避免气路扰动引起的杂质，从而获得致密性好、杂质含量低的薄膜。
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公开(公告)号：CN111326438B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201811533499.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种调平装置及反应腔室，包括弹性连接件、至少三个调平螺钉和用于承载支撑柱的调平板，其中，调平板通过弹性连接件与腔室底壁弹性连接；在调平板中设置有沿其厚度贯穿的至少三个螺纹孔，且沿调平板的周向间隔设置；各个调平螺钉一一对应地与各个螺纹孔相配合，且每个调平螺钉的下端与腔室底壁相抵。本发明提供的调平装置及反应腔室，能够方便快捷的对多个支撑柱进行调平，降低调平时间，提高工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113718229A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111014254.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括反应腔和位于反应腔下方的传输腔，反应腔通过底部开口与传输腔连通，半导体工艺腔室中设置有可在反应腔与传输腔之间升降的基座，还设置有密封环和第一弹性密封筒，二者均设置于基座的下方且套设在基座的升降轴上，第一弹性密封筒的顶端在密封环的内孔处与密封环的底壁密封连接，底端在传输腔底部供升降轴穿出的通孔处与传输腔的底壁密封连接，第一弹性密封筒能够在基座上升至反应腔时，通过弹力驱动密封环上升并封闭反应腔的底部开口。本发明能够改善反应腔的控压效果，提高半导体工艺的工艺效果，并缩短传片时间，提高半导体工艺的成膜效率。本发明还提供一种半导体工艺设备和一种半导体工艺方法。
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公开(公告)号：CN110484894B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201810460975.0
申请日：2018-05-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种用于气相沉积设备的尾气清理单元，包括喷射腔和滤网结构，所述喷射腔包括外侧壁和内侧壁，所述内侧壁形成为具有内腔的筒状，所述外侧壁环绕所述内侧壁设置，且与所述内侧壁相间隔，所述内侧壁上形成有沿所述内侧壁的厚度方向贯穿所述内侧壁的喷射孔，所述外侧壁上形成有沿所述外侧壁的厚度方向贯穿所述外侧壁的流体入口，以使得通过所述内侧壁围成的内腔的一端的开口流入的流体能够通过所述滤网结构并从所述内侧壁围成的内腔的另一端的开口流出。本发明还提供一种尾气清理装置和一种气相沉积设备。所述气相沉积设备的尾气处理管路装置中残留颗粒较少甚至没有，因此，可以延长对真空泵的维护周期。
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公开(公告)号：CN109321894B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710636974.2
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种增强清洗效果的沉积系统及方法，沉积系统包括：反应腔室，内设有基座，基座上方设有喷淋头，喷淋头周围通过绝缘环与腔室上盖相连，喷淋头上方覆盖有绝缘板，基座周围设有约束环，约束环以内、喷淋头和基座之间空间区域为反应区域，约束环和腔室内壁之间空间区域为非反应区域；初级清扫通道，用于对反应区域通入清扫气体进行清扫；次级清扫通道，用于对非反应区域通入清扫气体进行清扫。本发明能够增加对非反应区域的清扫程度，减少副反应生成物在非反应区域壁上的沉积，并阻挡微粒在腔室上盖与绝缘环之间的间隙内积累形成微粒源，从而能保证工艺性能的稳定性，提高等离子体源对死区的清洗效果。
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公开(公告)号：CN111286721A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811488818.7
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积方法及设备，所述方法包括以下步骤：S1，向与反应腔相连的缓冲腔中通入第一前驱体与补充气体，所述补充气体为吹扫气体或第二前驱体，以使所述补充气体与所述第一前驱体在所述缓冲腔中混合，且二者混合后流入所述反应腔；S2，停止向所述缓冲腔内通入所述第一前驱体，向所述缓冲腔通入所述吹扫气体与所述第二前驱体，以依次吹扫等离子体清洗源的阀门、所述缓冲腔以及所述反应腔；S3，向所述反应腔中加载射频功率，以激发所述反应腔中的第二前驱体形成等离子体，以使所述等离子体与所述第一前驱体反应，从而在晶片上形成薄膜。通过本发明，改善了沉积薄膜厚度的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN111074238A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811215894.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种调平装置及其调平方法、半导体处理设备。该调平装置，用于对基座相对于腔室的平行度和同轴度进行调节，其包括调平工装，调平工装包括水平安装部、竖直安装部以及连接水平安装部与竖直安装部的竖直连接部；其中，水平安装部的下表面用于与腔室的上表面贴合，竖直安装部的下表面与支撑件的安装面贴合，以使得基座与腔室的平行度满足预设要求，竖直连接部贯穿于腔室的安装孔中，竖直连接部的外周壁与安装孔的内周壁相配合，使得基座与腔室的同轴度满足预设要求。采用调平工装对基座与腔室进行调平、调对中，可以极大简化基座调平调对中的工艺，并且还能够极大地提高基座的安装精度，从而可以有效保证成膜均匀性，提高工艺良率。
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