公开(公告)号：CN119296965A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411553210.3

申请日：2024-11-01

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  孙朦 ,  闫寿科

IPC: H01G4/14 ,  H01G4/30

Abstract: 本申请属于电容器技术领域，具体涉及一种电介质薄膜电学性能提高的方法及其应用。所述电介质薄膜电学性能提高的方法包括对电介质薄膜进行退火处理。本申请的有益效果包括：在退火处理过程中，电介质薄膜的结晶度随退火温度的增加而增加，最高结晶度可达到63％，即经退火处理可提高电介质薄膜的击穿特性。

公开(公告)号：CN114524956A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202011186886.5

申请日：2020-10-30

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  李家丽 ,  闫寿科 ,  任忠杰 ,  李慧慧

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明公开了一种取向且可拉伸的有机半导体薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将基材浸入聚噻吩浓度为1～15mg/mL的聚噻吩溶液中，保留5～30s，然后以0.1～0.9cm/s的提拉速率将基材取出，干燥后，在基材表面形成取向聚噻吩膜；其中，所述聚噻吩溶液包括聚噻吩、三氯苯和溶剂；(2)将道康宁的sylgard 184A溶液与sylgard 184B溶液的混合物施于所述取向聚噻吩膜上，固化后得到复合膜；(3)将复合膜从基材上剥离，得到取向且可拉伸的有机半导体薄膜。本发明可以避免有机半导体薄膜因拉伸而导致导电性能显著变劣的现象。

公开(公告)号：CN111205496B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010129673.2

申请日：2020-02-28

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  洪亚 ,  闫寿科 ,  李慧慧 ,  任忠杰

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法，包括如下步骤：将聚偏氟乙烯薄膜在180～260℃的剪切温度下用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在150～165℃的结晶温度下进行结晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶体。本发明的方法可以得到聚偏氟乙烯γ型晶体。

公开(公告)号：CN110734464A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201911034193.1

申请日：2019-10-29

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 任忠杰 ,  成艳楠 ,  孙晓丽 ,  李慧慧 ,  闫寿科

IPC: C07F15/00 ,  C07D401/14 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种铱配合物磷光发光材料及其合成方法。该铱配合物磷光发光材料包括热激发延迟荧光单元和铱配合物磷光发光单元。本发明的铱配合物磷光发光材料具有较高的发光效率。

公开(公告)号：CN109853025A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910014168.0

申请日：2019-01-08

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 任忠杰 ,  蒋廷聪 ,  闫寿科

IPC: C25D15/00

Abstract: 本发明公开了一种复合薄膜及其制备方法和用途。采用熔融拉伸法制备取向的聚合物薄膜，然后采用该聚合物薄膜修饰电化学聚合的工作电极以形成修饰电极；将含碳纳米管与导电聚合物单体的电荷转移复合物在所述修饰电极上进行电化学聚合，采用循环伏安法形成含碳纳米管和导电聚合物的各向异性的复合薄膜；在所述电荷转移复合物中，以克计的碳纳米管的质量与以摩尔计的导电聚合物单体的摩尔量之比为2～8g:0.01～0.5mol。本发明可以获得各向异性的复合薄膜。

公开(公告)号：CN109694486B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201811381606.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 闫寿科 ,  宋甜甜 ,  孙晓丽 ,  李慧慧

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K9/02 ,  C08K9/04 ,  C08K3/34

Abstract: 本发明涉及100％γ相PVDF薄膜的制备方法，该方法包括：将改性伊利石与PVDF粒料进行第一混合处理，所述改性伊利石是通过将伊利石进行表面活化处理得到的；将第一混合处理产物进行成膜处理；将成膜处理产物进行干燥处理；将干燥处理产物进行熔融处理，以便消除热历史；将熔融处理产物在温度为158～168℃的条件下进行等温结晶处理，以便获得所述γ相PVDF薄膜。该方法可以制备获得100％γ相的PVDF材料，且结晶速率快，效率高，成本低，适于大规模推广应用。

公开(公告)号：CN106092905B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201610447666.0

申请日：2016-06-21

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 闫寿科 ,  宋春风 ,  李效玉 ,  袁洪福 ,  胡爱琴

IPC: G01N21/19 ,  G01N21/21 ,  G01N21/3563

Abstract: 本发明提出一种偏振红外光谱仪，至少由1个红外光源，1个干涉仪，1个分束器，1个测样附件，1个激光器，1个激光探测器、2个偏振片、2个红外检测器，以及与2个检测器匹配的光谱采样电路系统组成。该光谱仪特征之处在于经过测样附件的光被分为两束均等的光，两束光再分别通过各自光路上的偏振片后，被各自光路上的检测器上检测，得到干涉图，干涉图最后经过傅里叶变换处理后同时得到样品的平行偏振光谱和垂直偏振光谱。

公开(公告)号：CN108840965A

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201810567609.5

申请日：2018-06-05

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 任忠杰 ,  李晨森 ,  闫寿科 ,  李慧慧 ,  孙晓丽

IPC: C08F112/32 ,  C07D417/04 ,  C09K11/06

CPC classification number: C08F112/32 ,  C07D417/04 ,  C08F2438/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483

Abstract: 本发明公开了一种荧光聚合物的制备方法，包括如下步骤：以二苯并噻吩为原料合成3-乙烯基-6-吩噻嗪二苯并噻吩砜；以3-乙烯基-6-吩噻嗪二苯并噻吩砜为荧光单体，在自由基引发剂和2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物存在的条件下进行活性自由基聚合反应得到所述荧光聚合物；2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物中的烷基为C1～C3的烷基；自由基引发剂选自偶氮引发剂或过氧化物引发剂；自由基引发剂与荧光单体的摩尔比为0.003～0.03:1，自由基引发剂与2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物的摩尔比为1:1～2。本发明还提供一种2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物的用途。本发明的方法可以获得性能可控的荧光聚合物。

公开(公告)号：CN108084477A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201810102667.0

申请日：2018-02-01

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 闫寿科 ,  王俊杰 ,  李慧慧 ,  孙晓丽 ,  任忠杰

IPC: C08J7/04 ,  C08L23/06 ,  C09D167/02 ,  C09D167/04 ,  C09D133/12 ,  C09D127/06 ,  C09D171/02 ,  C09D123/12 ,  C09D165/00

Abstract: 本发明公开了一种高分子取向薄膜及其制备方法和应用。该方法包括如下步骤：(1)采用熔融拉伸法制备第一聚合物取向薄膜，将所述第一聚合物取向薄膜附着在基板上；(2)采用旋涂法将第二聚合物共混溶液附着在第一聚合物取向薄膜上，形成第二聚合物薄膜，然后进行热处理得到具有平行片晶的高分子取向薄膜。本发明还提供一种高分子取向薄膜纳米级别相分离的调控方法。本发明的方法操作简单、可以大面积制备高取向度且取向均匀的高分子取向薄膜。

公开(公告)号：CN104987511A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510462817.5

申请日：2015-07-31

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 任忠杰 ,  董杨 ,  孙殿明 ,  闫寿科

IPC: C08G77/30 ,  C08L83/08 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种聚合物、磷光主体材料及电致发光器件。本发明的聚合物以聚硅氧烷为主链，以具有电子、空穴传输性质的功能基团为侧基。本发明的聚合物具有较高的三重态能，可以作为主体材料与其它磷光染料进行掺杂，可广泛用于大面积柔性平板显示、聚合物发光二极管和电子成像设备。