公开(公告)号：CN109694486B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201811381606.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 闫寿科 ,  宋甜甜 ,  孙晓丽 ,  李慧慧

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K9/02 ,  C08K9/04 ,  C08K3/34

Abstract: 本发明涉及100％γ相PVDF薄膜的制备方法，该方法包括：将改性伊利石与PVDF粒料进行第一混合处理，所述改性伊利石是通过将伊利石进行表面活化处理得到的；将第一混合处理产物进行成膜处理；将成膜处理产物进行干燥处理；将干燥处理产物进行熔融处理，以便消除热历史；将熔融处理产物在温度为158～168℃的条件下进行等温结晶处理，以便获得所述γ相PVDF薄膜。该方法可以制备获得100％γ相的PVDF材料，且结晶速率快，效率高，成本低，适于大规模推广应用。

公开(公告)号：CN108840965A

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201810567609.5

申请日：2018-06-05

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 任忠杰 ,  李晨森 ,  闫寿科 ,  李慧慧 ,  孙晓丽

IPC: C08F112/32 ,  C07D417/04 ,  C09K11/06

CPC classification number: C08F112/32 ,  C07D417/04 ,  C08F2438/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483

Abstract: 本发明公开了一种荧光聚合物的制备方法，包括如下步骤：以二苯并噻吩为原料合成3-乙烯基-6-吩噻嗪二苯并噻吩砜；以3-乙烯基-6-吩噻嗪二苯并噻吩砜为荧光单体，在自由基引发剂和2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物存在的条件下进行活性自由基聚合反应得到所述荧光聚合物；2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物中的烷基为C1～C3的烷基；自由基引发剂选自偶氮引发剂或过氧化物引发剂；自由基引发剂与荧光单体的摩尔比为0.003～0.03:1，自由基引发剂与2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物的摩尔比为1:1～2。本发明还提供一种2,2,6,6-四烷基哌啶氧化物的用途。本发明的方法可以获得性能可控的荧光聚合物。

公开(公告)号：CN108084477A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201810102667.0

申请日：2018-02-01

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 闫寿科 ,  王俊杰 ,  李慧慧 ,  孙晓丽 ,  任忠杰

IPC: C08J7/04 ,  C08L23/06 ,  C09D167/02 ,  C09D167/04 ,  C09D133/12 ,  C09D127/06 ,  C09D171/02 ,  C09D123/12 ,  C09D165/00

Abstract: 本发明公开了一种高分子取向薄膜及其制备方法和应用。该方法包括如下步骤：(1)采用熔融拉伸法制备第一聚合物取向薄膜，将所述第一聚合物取向薄膜附着在基板上；(2)采用旋涂法将第二聚合物共混溶液附着在第一聚合物取向薄膜上，形成第二聚合物薄膜，然后进行热处理得到具有平行片晶的高分子取向薄膜。本发明还提供一种高分子取向薄膜纳米级别相分离的调控方法。本发明的方法操作简单、可以大面积制备高取向度且取向均匀的高分子取向薄膜。

公开(公告)号：CN119296965A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411553210.3

申请日：2024-11-01

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  孙朦 ,  闫寿科

IPC: H01G4/14 ,  H01G4/30

Abstract: 本申请属于电容器技术领域，具体涉及一种电介质薄膜电学性能提高的方法及其应用。所述电介质薄膜电学性能提高的方法包括对电介质薄膜进行退火处理。本申请的有益效果包括：在退火处理过程中，电介质薄膜的结晶度随退火温度的增加而增加，最高结晶度可达到63％，即经退火处理可提高电介质薄膜的击穿特性。

公开(公告)号：CN114524956A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202011186886.5

申请日：2020-10-30

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  李家丽 ,  闫寿科 ,  任忠杰 ,  李慧慧

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明公开了一种取向且可拉伸的有机半导体薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将基材浸入聚噻吩浓度为1～15mg/mL的聚噻吩溶液中，保留5～30s，然后以0.1～0.9cm/s的提拉速率将基材取出，干燥后，在基材表面形成取向聚噻吩膜；其中，所述聚噻吩溶液包括聚噻吩、三氯苯和溶剂；(2)将道康宁的sylgard 184A溶液与sylgard 184B溶液的混合物施于所述取向聚噻吩膜上，固化后得到复合膜；(3)将复合膜从基材上剥离，得到取向且可拉伸的有机半导体薄膜。本发明可以避免有机半导体薄膜因拉伸而导致导电性能显著变劣的现象。

公开(公告)号：CN111205496B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010129673.2

申请日：2020-02-28

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  洪亚 ,  闫寿科 ,  李慧慧 ,  任忠杰

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法，包括如下步骤：将聚偏氟乙烯薄膜在180～260℃的剪切温度下用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在150～165℃的结晶温度下进行结晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶体。本发明的方法可以得到聚偏氟乙烯γ型晶体。

公开(公告)号：CN110734464A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201911034193.1

申请日：2019-10-29

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 任忠杰 ,  成艳楠 ,  孙晓丽 ,  李慧慧 ,  闫寿科

IPC: C07F15/00 ,  C07D401/14 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种铱配合物磷光发光材料及其合成方法。该铱配合物磷光发光材料包括热激发延迟荧光单元和铱配合物磷光发光单元。本发明的铱配合物磷光发光材料具有较高的发光效率。

公开(公告)号：CN114524956B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202011186886.5

申请日：2020-10-30

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  李家丽 ,  闫寿科 ,  任忠杰 ,  李慧慧

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明公开了一种取向且可拉伸的有机半导体薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将基材浸入聚噻吩浓度为1～15mg/mL的聚噻吩溶液中，保留5～30s，然后以0.1～0.9cm/s的提拉速率将基材取出，干燥后，在基材表面形成取向聚噻吩膜；其中，所述聚噻吩溶液包括聚噻吩、三氯苯和溶剂；(2)将道康宁的sylgard 184A溶液与sylgard 184B溶液的混合物施于所述取向聚噻吩膜上，固化后得到复合膜；(3)将复合膜从基材上剥离，得到取向且可拉伸的有机半导体薄膜。本发明可以避免有机半导体薄膜因拉伸而导致导电性能显著变劣的现象。

公开(公告)号：CN116515201A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310522413.5

申请日：2023-05-10

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  孙朦 ,  闫寿科 ,  柏潇

IPC: C08L23/12 ,  H01G4/33 ,  H01G4/14 ,  C08L45/00 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜及制备方法和电容器，该聚合物薄膜由包括聚丙烯和环烯烃共聚物的原料形成；其中，以100重量份的聚合物薄膜为基准，环烯烃共聚物为4～9重量份；环烯烃共聚物由双环[2,2,1]‑2‑庚烯和乙烯形成；乙烯的重量与双环[2,2,1]‑2‑庚烯和乙烯的重量之和的比为30～40:100；环烯烃共聚物为无定型共聚物；所述环烯烃共聚物的玻璃化转变温度为132～136℃；所述聚丙烯的熔点为160～168℃。本发明的聚合物薄膜中环烯烃共聚物的添加量较少，且该聚合物薄膜具有较好的耐高温性能。

公开(公告)号：CN112745519B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201911051720.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  米策 ,  闫寿科 ,  李慧慧 ,  任忠杰

IPC: C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  H01G4/18 ,  H01G4/33

Abstract: 本申请提供一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.0×105至3.0×105的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；将所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜；将所述初始膜熔融重结晶，得到重结晶聚偏氟乙烯膜；将所述重结晶聚偏氟乙烯膜多次退火，得到包含γ晶及β晶的聚偏氟乙烯薄膜。还提供一种电容器的制备方法。