公开(公告)号：CN114524956B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202011186886.5

申请日：2020-10-30

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  李家丽 ,  闫寿科 ,  任忠杰 ,  李慧慧

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明公开了一种取向且可拉伸的有机半导体薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将基材浸入聚噻吩浓度为1～15mg/mL的聚噻吩溶液中，保留5～30s，然后以0.1～0.9cm/s的提拉速率将基材取出，干燥后，在基材表面形成取向聚噻吩膜；其中，所述聚噻吩溶液包括聚噻吩、三氯苯和溶剂；(2)将道康宁的sylgard 184A溶液与sylgard 184B溶液的混合物施于所述取向聚噻吩膜上，固化后得到复合膜；(3)将复合膜从基材上剥离，得到取向且可拉伸的有机半导体薄膜。本发明可以避免有机半导体薄膜因拉伸而导致导电性能显著变劣的现象。

公开(公告)号：CN114524956A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202011186886.5

申请日：2020-10-30

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  李家丽 ,  闫寿科 ,  任忠杰 ,  李慧慧

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明公开了一种取向且可拉伸的有机半导体薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将基材浸入聚噻吩浓度为1～15mg/mL的聚噻吩溶液中，保留5～30s，然后以0.1～0.9cm/s的提拉速率将基材取出，干燥后，在基材表面形成取向聚噻吩膜；其中，所述聚噻吩溶液包括聚噻吩、三氯苯和溶剂；(2)将道康宁的sylgard 184A溶液与sylgard 184B溶液的混合物施于所述取向聚噻吩膜上，固化后得到复合膜；(3)将复合膜从基材上剥离，得到取向且可拉伸的有机半导体薄膜。本发明可以避免有机半导体薄膜因拉伸而导致导电性能显著变劣的现象。