公开(公告)号：CN102017209A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115154.2

申请日：2009-02-25

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤歌奈女 ,  J·J·M·哈尔斯 ,  G·L·怀廷 ,  C·墨菲

IPC: H01L51/05

Abstract: 有机薄膜晶体管，其包括：基板；设置在基板上方的源极和漏极，其间具有沟道区；设置在沟道区中的有机半导体层；栅极；和设置在有机半导体层和栅极之间的栅极电介质，其中栅极电介质包含交联聚合物和含氟聚合物。

公开(公告)号：CN102017209B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980115154.2

申请日：2009-02-25

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤歌奈女 ,  J·J·M·哈尔斯 ,  G·L·怀廷 ,  C·墨菲

IPC: H01L51/05

Abstract: 有机薄膜晶体管，其包括：基板；设置在基板上方的源极和漏极，其间具有沟道区；设置在沟道区中的有机半导体层；栅极；和设置在有机半导体层和栅极之间的栅极电介质，其中栅极电介质包含交联聚合物和含氟聚合物。

公开(公告)号：CN102388476A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080005844.5

申请日：2010-01-27

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： G·怀廷 ,  J·波罗格斯 ,  J·卡特 ,  J·J·M·哈尔斯 ,  K·韦伯

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：使用溶液处理技术将源电极和漏电极沉积于衬底之上；使用溶液处理技术将功函数改性层形成于源电极和漏电极之上；以及使用溶液处理技术将有机半导电材料沉积于源电极和漏电极之间的沟道区中。