公开(公告)号：CN102388476A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080005844.5

申请日：2010-01-27

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： G·怀廷 ,  J·波罗格斯 ,  J·卡特 ,  J·J·M·哈尔斯 ,  K·韦伯

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：使用溶液处理技术将源电极和漏电极沉积于衬底之上；使用溶液处理技术将功函数改性层形成于源电极和漏电极之上；以及使用溶液处理技术将有机半导电材料沉积于源电极和漏电极之间的沟道区中。