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公开(公告)号：CN104205392A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380014483.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/441 , H01L51/445 , H01L51/5212 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5361 , Y02E10/549
Abstract: 本发明一般涉及光电子器件和这种器件的制造方法，具体而言，涉及包括阳极层(21)、设置在阳极层之上的半导体层(25)和设置在半导体层之上的阴极层(26)的光电子器件，阳极层包含连接在一起并且通过其间的间隙(211)相互分开的多个导电轨迹(212)，该器件还包含设置在阳极层与半导体层之间并且延伸跨过所述间隙的第一空穴注入层(23)和一个或更多个其它的空穴注入层(24)，其中，第一空穴注入层具有比一个或更多个其它的空穴注入层的传导率大的传导率。
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公开(公告)号：CN102099944A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128119.4
申请日：2009-06-02
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L51/524 , H01L51/5262 , H01L2251/5315
Abstract: 一种有机电致发光器件，包括：基板(2)；布置于基板之上用于注入第一极性的电荷的第一电极(4)；布置于第一电极之上用于注入与所述第一极性相反的第二极性的电荷的第二电极(6)；布置于第一和第二电极之间的有机发光层(8)，第二电极对由发光层所发射出的光是透明的；被布置于第二电极之上，并且与之间隔开的玻璃或透明塑料的封装物(14)，界定了它们之间的空腔；以及被布置于空腔之内的空腔填充材料(20)，空腔填充材料从空腔的底面延伸到空腔的顶面，空腔填充材料具有布置于其中的光学结构。
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公开(公告)号：CN103443709B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280015328.X
申请日：2012-03-21
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L51/00 , B05D5/08 , H01L21/768
Abstract: 本发明一般地涉及基板的表面的平坦化。在平坦化基板的表面区域的实施例中，该基板具有在所述表面区域的一部分上的主体，该方法包括：通过提供表面使更改层（例如，在其上的自组装单层）来使所述主体的表面相对液体平坦化剂合成物的润湿性更改；并且然后将所述液体平坦化剂合成物沉积于所述基板和所述主体上，使得平坦化剂合成物润湿所述表面区域，其中所述表面更改层确定所述液体平坦化剂合成物与所述主体的所述表面的接触角，使得沉积的液体平坦化剂合成物被所述主体的所述表面排斥。
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公开(公告)号：CN101911329A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123725.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：源电极(2)和漏电极(4)及布置在其之间的沟道区中的有机半导体材料(8)，其中，源电极和漏电极具有设置在其上面的薄自组装材料层(14)，该薄自组装材料层(14)包括用于通过接受电子在化学上对有机半导体材料进行掺杂的掺杂剂部分，该掺杂剂部分具有相对于乙腈中的饱和甘汞电极至少0.3eV的氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN102239561B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200980148269.1
申请日：2009-10-21
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3269 , H01L27/3227 , H01L27/3255
Abstract: 光学传感器阵列包括由具有单独光敏元件的小芯片阵列形成的光敏区域，每个元件被配置为响应于入射光产生信号。可从与小芯片相关联的元件的输出信号导出小芯片从预定位置的位移。该布置提供测量有源显示器中的至少一个小芯片的位移的方法。
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公开(公告)号：CN103443709A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015328.X
申请日：2012-03-21
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L51/00 , B05D5/08 , H01L21/768
Abstract: 本发明一般地涉及基板的表面的平坦化。在平坦化基板的表面区域的实施例中，该基板具有在所述表面区域的一部分上的主体，该方法包括：通过提供表面使更改层（例如，在其上的自组装单层）来使所述主体的表面相对液体平坦化剂合成物的润湿性更改；并且然后将所述液体平坦化剂合成物沉积于所述基板和所述主体上，使得平坦化剂合成物润湿所述表面区域，其中所述表面更改层确定所述液体平坦化剂合成物与所述主体的所述表面的接触角，使得沉积的液体平坦化剂合成物被所述主体的所述表面排斥。
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公开(公告)号：CN101926006B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200880125796.6
申请日：2008-12-17
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0003 , H01L51/0005 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/56 , H05K3/1258 , H05K2203/1173
Abstract: 一种电子器件，包括：包含电路元件的电子衬底；位于电子衬底之上的双堤井限定结构，该双堤井限定结构包括第一层绝缘材料和其上面的第二层绝缘材料，其中第二层绝缘材料具有比第一层绝缘材料低的可浸湿性；及布置在由双堤井限定结构限定的井中的有机半导体材料。
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公开(公告)号：CN101911329B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880123725.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：源电极(2)和漏电极(4)及布置在其之间的沟道区中的有机半导体材料(8)，其中，源电极和漏电极具有设置在其上面的薄自组装材料层(14)，该薄自组装材料层(14)包括用于通过接受电子在化学上对有机半导体材料进行掺杂的掺杂剂部分，该掺杂剂部分具有相对于乙腈中的饱和甘汞电极至少0.3eV的氧化还原电位。
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