公开(公告)号：CN102017209A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115154.2

申请日：2009-02-25

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤歌奈女 ,  J·J·M·哈尔斯 ,  G·L·怀廷 ,  C·墨菲

IPC: H01L51/05

Abstract: 有机薄膜晶体管，其包括：基板；设置在基板上方的源极和漏极，其间具有沟道区；设置在沟道区中的有机半导体层；栅极；和设置在有机半导体层和栅极之间的栅极电介质，其中栅极电介质包含交联聚合物和含氟聚合物。

公开(公告)号：CN101983439B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200880010563.1

申请日：2008-04-03

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 堀田定吉 ,  J·H·伯勒斯 ,  G·L·怀廷

IPC: H01L51/05

Abstract: 一种有机薄膜晶体管，其包括：衬底；限定沟道的源极电极和漏极电极；布置在源极电极和漏极电极之上的绝缘材料层；延伸穿过沟道的有机半导电材料层；电介质材料层；以及布置在电介质材料层之上的栅极电极。

公开(公告)号：CN102017209B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980115154.2

申请日：2009-02-25

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤歌奈女 ,  J·J·M·哈尔斯 ,  G·L·怀廷 ,  C·墨菲

IPC: H01L51/05

Abstract: 有机薄膜晶体管，其包括：基板；设置在基板上方的源极和漏极，其间具有沟道区；设置在沟道区中的有机半导体层；栅极；和设置在有机半导体层和栅极之间的栅极电介质，其中栅极电介质包含交联聚合物和含氟聚合物。

公开(公告)号：CN101983439A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200880010563.1

申请日：2008-04-03

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 堀田定吉 ,  J·H·伯勒斯 ,  G·L·怀廷

IPC: H01L51/05

Abstract: 一种有机薄膜晶体管，其包括：衬底；限定沟道的源极电极和漏极电极；布置在源极电极和漏极电极之上的绝缘材料层；延伸穿过沟道的有机半导电材料层；电介质材料层；以及布置在电介质材料层之上的栅极电极。