公开(公告)号：CN109689828B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201780054508.1

申请日：2017-06-21

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔洛炫 ,  朴光洙 ,  金廷润 ,  黄晙夏

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及表面改性胶体二氧化铈抛光粒子、其制造方法及包括此的抛光料浆组合物，根据本发明的一个实施例的表面改性胶体二氧化铈抛光粒子，包括：胶体二氧化铈抛光粒子；及铈元素及羟基(‑OH)，形成在所述胶体二氧化铈抛光粒子表面上。

公开(公告)号：CN113195658A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084398.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金廷润 ,  黄晙夏 ,  朴光洙 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明涉及一种用于STI工艺的抛光料浆组合物，并且更具体地涉及用于STI工艺的抛光料浆组合物，所述抛光料浆组合物包括：具有抛光粒子的抛光液；以及添加液，所述添加液包括具有酰胺键的聚合物，以及包括具有与一个以上的原子连接的三个以上链的单体的多晶硅膜抛光抑制剂。

公开(公告)号：CN105980509A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008046.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 权璋国 ,  全燦云 ,  郑记和 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  李性表 ,  崔辅爀

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明关于一种制备研磨液组合物的方法及一种通过该方法制备的研磨液组合物，该方法及该研磨液组合物可减少刮痕及剩余颗粒且维持高抛光速率，该刮痕及剩余颗粒在应用于半导体化学机械抛光(CMP)中被公认为因块状颗粒及聚结颗粒所致的良率降低的一个主要因素。此外，该方法及该研磨液组合物可应用于超大规模整合的半导体程序所需的各种图案且在针对应用的抛光速率、抛光选择比率、表示抛光均匀性的晶圆内非均匀性(WIWNU)及微痕小型化方面达成优良结果。

公开(公告)号：CN113004803A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011417878.7

申请日：2020-12-07

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 申基柱 ,  金廷润 ,  朴光洙 ,  崔秀完

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及可实现多选择比的抛光料浆组合物，更详细地，涉及抛光料浆组合物，包括：包括抛光粒子的抛光液；以及添加液，所述添加液包括带有酰胺键的聚合物及阳离子性聚合物。

公开(公告)号：CN109153888A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030270.9

申请日：2017-04-14

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金廷润 ,  黄晙夏 ,  金仙卿 ,  朴光洙

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种高阶梯差抛光料浆组合物，根据本发明一个实施例的高阶梯差抛光料浆组合物包括：抛光液，含有经正电荷分散的金属氧化物抛光粒子；和添加液，含有高分子聚合物，具有经正电荷被活性化的一个以上元素，且具有凸出部和凹陷部的氧化膜图案晶片中的阶梯差去除速度和氧化膜平板晶片中的去除速度的抛光选择比为5:1以上。

公开(公告)号：CN113242891B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201980084413.3

申请日：2019-07-03

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔秀完 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物包括：包含抛光粒子的抛光液；以及包含非离子高分子聚合物及选择比调节剂的添加液。本发明的抛光料浆组合物具有氧化硅膜和多晶硅膜的高抛光率，在半导体元件的浅槽隔离(STI)抛光之后没有留下杂质，并且能够减少氧化硅膜凹陷的量以及减少刮痕。

公开(公告)号：CN113195659A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084411.4

申请日：2019-11-04

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔洛炫 ,  金廷润 ,  梁海元 ,  崔秀完

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，根据本发明的一个实施方式的抛光浆料组合物包括包含一个以上的酰胺键的非离子型高分子聚合物；选择比调节剂；以及抛光粒子。

公开(公告)号：CN116376447A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211681435.8

申请日：2022-12-27

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金廷润 ,  黄寅卨 ,  孔铉九

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于接触工艺的金属膜浆料组合物，并涉及抛光浆料组合物，其包括：抛光粒子；含有一个以上的能够形成氢键的官能团的化合物；在重复单元结构中含有一个以上的亲水性官能团的非离子聚合物；以及氧化剂。

公开(公告)号：CN113242891A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980084413.3

申请日：2019-07-03

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔秀完 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物包括：包含抛光粒子的抛光液；以及包含非离子高分子聚合物及选择比调节剂的添加液。本发明的抛光料浆组合物具有氧化硅膜和多晶硅膜的高抛光率，在半导体元件的浅槽隔离(STI)抛光之后没有留下杂质，并且能够减少氧化硅膜凹陷的量以及减少刮痕。

公开(公告)号：CN112980332A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011417982.6

申请日：2020-12-07

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴光洙 ,  黄晙夏 ,  金廷润 ,  崔洛炫

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种用于STI工艺的抛光浆料组合物，根据本发明一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物包括：抛光粒子；非离子型聚合物；以及极性氨基酸。